| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1. 绪论 | 第8-26页 |
| 1.1 纳米材料进展概述 | 第8-17页 |
| 1.1.1 InN材料简介 | 第8-11页 |
| 1.1.2 MoS_2材料简介 | 第11-13页 |
| 1.1.3 常规制备纳米材料的方法 | 第13-17页 |
| 1.2 异质结半导体纳米材料的研究现状及应用 | 第17-22页 |
| 1.2.1 基于Ⅲ-Ⅴ族异质结材料的研究进展 | 第17页 |
| 1.2.2 基于二维TMDs异质结材料的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.2.3 异质结半导体纳米材料的应用 | 第18-22页 |
| 1.3 基于异质结材料的H_2检测研究现状 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文的研究意义、目标及内容 | 第23-26页 |
| 1.4.1 课题研究意义 | 第23-24页 |
| 1.4.2 课题研究目标 | 第24页 |
| 1.4.3 课题研究内容 | 第24-26页 |
| 2. InN纳米材料的生长机理及光学性能研究 | 第26-49页 |
| 2.1 实验仪器、材料与试剂 | 第26-28页 |
| 2.2 InN纳米材料的生长 | 第28-30页 |
| 2.2.1 InN纳米材料的沉积装置 | 第28-29页 |
| 2.2.2 InN纳米材料的沉积过程 | 第29-30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-48页 |
| 2.3.1 InN纳米线的表征分析 | 第30-35页 |
| 2.3.2 InN纳米叶的表征分析 | 第35-39页 |
| 2.3.3 InN纳米截角三角金字塔的表征分析 | 第39-44页 |
| 2.3.4 InN纳米结构的生长机理研究 | 第44-47页 |
| 2.3.5 三种InN纳米结构材料的光学性能研究 | 第47-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 3. MoS_2纳米材料的制备及光催化性能研究 | 第49-65页 |
| 3.1 实验仪器、材料与试剂 | 第49-51页 |
| 3.2 MoS_2纳米材料的生长 | 第51-52页 |
| 3.2.1 MoS_2纳米材料的制备装置 | 第51页 |
| 3.2.2 MoS_2纳米材料的沉积过程 | 第51-52页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第52-64页 |
| 3.3.1 四角MoS_2纳米片的表征分析 | 第52-56页 |
| 3.3.2 六角MoS_2纳米片的表征分析 | 第56-59页 |
| 3.3.3 三角MoS_2纳米片的表征分析 | 第59-63页 |
| 3.3.4 MoS_2纳米材料的光催化性能研究 | 第63-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 4. 基于MoS_2/InN异质结材料的H_2检测器的制备及电学性能研究 | 第65-78页 |
| 4.1 实验仪器、材料与试剂 | 第65页 |
| 4.2 异质结MoS_2/InN纳米材料的制备 | 第65页 |
| 4.3 异质结MoS_2/InN纳米材料的结果分析 | 第65-69页 |
| 4.4 以MoS_2/InN异质结为基元的H_2检测器的制备及电学性能表征 | 第69-76页 |
| 4.4.1 基于MoS_2/InN异质结材料的气体检测装置设计 | 第69-70页 |
| 4.4.2 基于MoS_2/InN异质结材料气体检测装置的电学特性测试分析 | 第70-74页 |
| 4.4.3 基于MoS_2/InN异质结材料气体检测机理研究 | 第74-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 结论 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-87页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第87页 |
