第1章 前言 | 第7-19页 |
1.1 聚吡咯 | 第7-12页 |
1.1.1 聚吡咯概述及结构特征 | 第7-8页 |
1.1.2 聚吡咯的掺杂机理 | 第8-9页 |
1.1.3 聚吡咯的合成机理 | 第9-11页 |
1.1.4 聚吡咯的应用 | 第11-12页 |
1.2 表面活性剂 | 第12-14页 |
1.2.1 表面活性剂的特点 | 第12-13页 |
1.2.2 表面活性剂对纳米材料生长调控的方法 | 第13-14页 |
1.3 超级电容器 | 第14-18页 |
1.3.1 超级电容器简介 | 第14-15页 |
1.3.2 超级电容器的原理 | 第15-16页 |
1.3.3 超级电容器电极材料研究进展 | 第16-18页 |
1.4 本论文工作 | 第18-19页 |
第2章 实验部分 | 第19-23页 |
2.1 实验仪器 | 第19页 |
2.2 化学试剂 | 第19-20页 |
2.3 实验步骤 | 第20-23页 |
2.3.1 碳布基底的预处理 | 第20页 |
2.3.2 吡咯的电化学聚合 | 第20-21页 |
2.3.3 聚吡咯的电化学性能研究 | 第21页 |
2.3.4 聚吡咯的理化表征 | 第21-22页 |
2.3.5 聚吡咯的充放电稳定性测试 | 第22-23页 |
第3章 结果与讨论 | 第23-63页 |
3.1 利用程序循环伏安实验进行的PPy/CTAB的电化学沉积 | 第23-33页 |
3.1.1 阳离子表面活性剂CTAB浓度对吡咯聚合的影响 | 第23-26页 |
3.1.2 pH值对CTAB存在下吡咯聚合的影响 | 第26-29页 |
3.1.3 PPy/CTAB_(25)~(1.0)充放电稳定性测试 | 第29-30页 |
3.1.4 PPy/CTAB_(25)~(1.0)的理化表征 | 第30-33页 |
3.1.5 小结 | 第33页 |
3.2 利用程序循环伏安实验进行的PPy/DS~-的电化学沉积 | 第33-45页 |
3.2.1 阴离子表面活性剂SDS浓度对吡咯聚合的影响 | 第33-37页 |
3.2.2 pH值对SDS存在下毗咯聚合的影响 | 第37-41页 |
3.2.3 PPy/DS~-_(25)~(1.0)充放电稳定性测试 | 第41-42页 |
3.2.4 PPy/DS~-_(25)~(1.0)的理化表征 | 第42-45页 |
3.2.5 小结 | 第45页 |
3.3 利用程序循环伏安实验进行的PPy/DBS~-的电化学沉积 | 第45-56页 |
3.3.1 阴离子表面活性剂SDBS浓度对吡咯聚合的影响 | 第46-49页 |
3.3.2 pH值对SDBS存在下吡咯聚合的影响 | 第49-52页 |
3.3.3 PPy/DBS~-_(50)~(1.0)充放电稳定性测试 | 第52-53页 |
3.3.4 PPy/DBS~-的理化表征 | 第53-55页 |
3.3.5 小结 | 第55-56页 |
3.4 表面活性剂对吡咯聚合的影响 | 第56-63页 |
3.4.1 表面活性剂存在时制备的PPy膜的电化学活性 | 第56-57页 |
3.4.2 表面活性剂存在时制备的PPy膜的超电容性能 | 第57-59页 |
3.4.3 表面活性剂存在时制备的PPy膜的充放电稳定性 | 第59-60页 |
3.4.4 表面活性剂对PPy膜形貌的影响 | 第60-63页 |
第4章 结论 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
致谢 | 第71页 |