摘要 | 第13-14页 |
ABSTRACT | 第14-15页 |
第一章 绪论 | 第16-28页 |
1.1 课题背景 | 第16-22页 |
1.1.1 射频识别电子标签 | 第16-19页 |
1.1.2 非易失性存储器 | 第19-22页 |
1.2 国内外研究现状 | 第22-25页 |
1.2.1 非易失性存储单元的研究 | 第22-24页 |
1.2.2 非易失存储器外围电路的研究 | 第24-25页 |
1.3 工作内容及创新点概述 | 第25-26页 |
1.4 论文组织结构 | 第26-28页 |
第二章 无源RFID标签芯片存储器IP核架构设计 | 第28-42页 |
2.1 无源RFID标签芯片工作原理 | 第28-32页 |
2.1.1 无源RFID标签芯片的工作原理 | 第28-29页 |
2.1.2 无源RFID标签芯片信息的传递原理 | 第29-30页 |
2.1.3 无源RFID标签芯片系统架构 | 第30-32页 |
2.2 非易失存储器IP核系统架构设计 | 第32-40页 |
2.2.1 非易失存储器低成本与低功耗的重要性 | 第32-34页 |
2.2.2 非易失存储器IP核的系统架构 | 第34-40页 |
2.3 非易失存储器IP核的关键技术难点分析 | 第40-41页 |
2.4 本章小结 | 第41-42页 |
第三章 非易失性存储器IP核存储内核设计 | 第42-58页 |
3.1 非易失性存储单元 | 第42-55页 |
3.1.1 设计指标 | 第42-43页 |
3.1.2 擦写效应 | 第43-46页 |
3.1.3 常用存储单元结构 | 第46-47页 |
3.1.4 单层多晶硅浮栅型存储单元结构 | 第47-50页 |
3.1.5 单层多晶硅浮栅型存储单元的优化 | 第50-52页 |
3.1.6 存储单元仿真 | 第52-55页 |
3.2 非易失性存储器内核阵列结构设计 | 第55-56页 |
3.3 本章小结 | 第56-58页 |
第四章 非易失性存储器IP核外围电路设计 | 第58-124页 |
4.1 电压切换设计 | 第58-73页 |
4.1.1 读写电压偏置 | 第58-60页 |
4.1.2 电压切换方案 | 第60-62页 |
4.1.3 传统的电压切换电路 | 第62-63页 |
4.1.4 Bootstrap电压切换电路 | 第63-66页 |
4.1.5 本文设计的电压切换电路 | 第66-68页 |
4.1.6 行、列电压切换逻辑控制设计 | 第68-69页 |
4.1.7 电压切换电路仿真 | 第69-73页 |
4.2 高压产生系统设计 | 第73-93页 |
4.2.1 高压产生系统架构 | 第73-74页 |
4.2.2 电荷泵内核设计 | 第74-85页 |
4.2.3 时钟电压切换电路设计 | 第85-87页 |
4.2.4 四相时钟产生电路设计 | 第87-88页 |
4.2.5 高压稳压电路设计 | 第88-90页 |
4.2.6 泄流电路设计 | 第90-91页 |
4.2.7 高压标志位产生电路 | 第91-92页 |
4.2.8 高压产生系统整体仿真 | 第92-93页 |
4.3 参考电压设计 | 第93-106页 |
4.3.1 LDO的工作原理 | 第93-94页 |
4.3.2 LDO的设计指标 | 第94-95页 |
4.3.3 低功耗小面积LDO的设计 | 第95-96页 |
4.3.4 LDO稳定性的理论分析 | 第96-103页 |
4.3.5 LDO的仿真 | 第103-106页 |
4.4 灵敏放大器设计 | 第106-122页 |
4.4.1 灵敏放大器简介 | 第106-107页 |
4.4.2 传统的灵敏放大器概述 | 第107-108页 |
4.4.3 对已有灵敏放大器的研究 | 第108-113页 |
4.4.4 本文提出的灵敏放大器结构 | 第113-120页 |
4.4.5 多种电路结构的性能对比 | 第120-122页 |
4.5 其他外围电路设计 | 第122-123页 |
4.5.1 行、列译码电路 | 第122页 |
4.5.2 多路选择器 | 第122页 |
4.5.3 控制电路 | 第122-123页 |
4.6 本章小结 | 第123-124页 |
第五章 无源RFID标签芯片非易失存储器IP核整体仿真与分析 | 第124-132页 |
5.1 非易失存储器IP核关键功能、性能点 | 第124页 |
5.2 各个关键功能、性能点的仿真 | 第124-131页 |
5.2.1 整体仿真环境的建立 | 第124-125页 |
5.2.2 整体仿真及分析 | 第125-131页 |
5.3 本章小结 | 第131-132页 |
结束语 | 第132-136页 |
致谢 | 第136-140页 |
参考文献 | 第140-146页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第146页 |