| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第6-14页 |
| 1.1 微电子器件的发展历史与现状 | 第6-8页 |
| 1.2 InGaAs FinFET的研究现状和存在的问题 | 第8-13页 |
| 1.3 论文的主要内容与安排 | 第13-14页 |
| 第二章 InGaAs/Al_2O_3 FinFET的器件结构和电学测量方法 | 第14-24页 |
| 2.1 InGaAs/Al_2O_3 FinFET的器件结构 | 第14-16页 |
| 2.2 InGaAs/Al_2O_3 FinFET的电流电压测量 | 第16-20页 |
| 2.3 InGaAs/Al_2O_3 FinFET的低频噪声测量 | 第20-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 InGaAs/Al_2O_3 FinFET的电学特性 | 第24-42页 |
| 3.1 InGaAs/Al_2O_3 FinFET的电学特性测量结果 | 第24-32页 |
| 3.2 InGaAs/Al_2O_3 FinFET中的源漏电阻 | 第32-37页 |
| 3.3 InGaAs/Al_2O_3 FinFET的本征I-V特性 | 第37-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 InGaAs/Al_2O_3 FinFET的电学参数提取 | 第42-58页 |
| 4.1 InGaAs/Al_2O_3 FinFET中栅电容的计算 | 第42-49页 |
| 4.2 InGaAs/Al_2O_3 FinFET中有效迁移率的提取 | 第49-56页 |
| 4.3 InGaAs/Al_2O_3 FinFET中迁移率与温度的关系 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
