| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 层状过渡金属二硫族化合物XY_2 (X=MO, W; Y=S, Se)的应用前景和研究现状 | 第7-10页 |
| 1.2 压力调制层状过渡金属二硫族化合物的实验设计 | 第10-12页 |
| 1.3 拉曼散射光谱学基本原理 | 第12-15页 |
| 第二章 薄层二硫化钼和二硫化钨的制备和表征 | 第15-29页 |
| 2.1 化学气相沉积方法生长薄层MOS_2及厚度表征 | 第15-22页 |
| 2.2 化学气相沉积方法生长薄层WS_2及厚度表征 | 第22-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 二硫化钼的高压调制研究 | 第29-36页 |
| 3.1 体材料MOS_2的高压拉曼光谱 | 第29-31页 |
| 3.2 单层MOS_2的高压拉曼和荧光光谱 | 第31-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 二硫化钨单层的高压拉曼与荧光光谱研究 | 第36-47页 |
| 4.1 单层WS_2在Si/SiO_2基底和金刚石砧面上的高压晶格调制 | 第36-43页 |
| 4.2 单层WS_2在Si/SiO_2基底和金刚石砧面上的高压激子发光调制 | 第43-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论和展望 | 第47-49页 |
| 5.1 总结 | 第47-48页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-58页 |
| 在学期间所取得的科研成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
