| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 半导体纳米材料概述 | 第10-11页 |
| 1.1.1 纳米材料 | 第10页 |
| 1.1.2 半导体材料 | 第10-11页 |
| 1.1.3 金属硫族化合物半导体纳米材料 | 第11页 |
| 1.2 SnS_2半导体纳米材料及其研究进展 | 第11-15页 |
| 1.2.1 SnS_2的结构和性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SnS_2半导体纳米材料的应用 | 第12-14页 |
| 1.2.3 SnS_2的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3 半导体光催化技术 | 第15-20页 |
| 1.3.1 半导体光催化的基本原理 | 第15-17页 |
| 1.3.2 提高半导体光催剂性能的基本途径 | 第17-19页 |
| 1.3.3 半导体光催化剂的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 水污染的主要来源及染料污水的处理方式 | 第20-21页 |
| 1.5 氢能源 | 第21页 |
| 1.6 本课题研究背景及内容 | 第21-23页 |
| 第二章 原位生长法制备G-Bi_2S_3/SnS_2异质节光催化剂及其催化性能研究 | 第23-45页 |
| 2.1 实验部分 | 第23-26页 |
| 2.1.1 试剂、仪器与设备 | 第23-24页 |
| 2.1.2 G-Bi_2S_3/SnS_2异质结构的制备 | 第24-25页 |
| 2.1.3 G-Bi_2S_3/SnS_2复合物在可见光催化甲基橙降解反应中催化活性及其稳定性研究 | 第25-26页 |
| 2.2 样品结构表征和组成分析 | 第26-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD）分析 | 第26页 |
| 2.2.2 透射电镜（TEM）分析 | 第26页 |
| 2.2.3 扫描电镜（SEM）分析 | 第26页 |
| 2.2.4 电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）分析 | 第26页 |
| 2.2.5 热重（TGA）分析 | 第26-27页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第27页 |
| 2.3 样品光学性质表征 | 第27页 |
| 2.3.1 紫外可见漫反射光谱（UV-vis DRS）分析 | 第27页 |
| 2.3.2 荧光光谱分析（PL） | 第27页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第27-44页 |
| 2.4.1 G-Bi_2S_3/SnS_2的形成过程 | 第27-28页 |
| 2.4.2 G-Bi_2S_3/SnS_2的XRD分析 | 第28-29页 |
| 2.4.3 G-Bi_2S_3/SnS_2的TEM分析 | 第29-32页 |
| 2.4.4 G-Bi_2S_3/SnS_2的SEM分析 | 第32页 |
| 2.4.5 BS-3 的TGA分析 | 第32-33页 |
| 2.4.6 BS-3 的XPS分析 | 第33-35页 |
| 2.4.7 BS-3 的UV-vis DRS分析 | 第35-37页 |
| 2.4.8 BS-3 的PL分析 | 第37-38页 |
| 2.4.9 G-Bi_2S_3/SnS_2复合物在可见光催化甲基橙降解反应中的应用研究 | 第38-43页 |
| 2.4.10 G-Bi_2S_3/SnS_2异质结构光催化活性提升的可能机理 | 第43-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 离子交换法制备E-Bi_2S_3/SnS_2异质节光催化剂及其催化性能研究 | 第45-57页 |
| 3.1 实验部分 | 第45-46页 |
| 3.1.1 试剂、仪器与设备 | 第45-46页 |
| 3.1.2 E-Bi_2S_3/SnS_2异质结构的制备 | 第46页 |
| 3.2 样品结构表征和组成分析 | 第46-47页 |
| 3.2.1 X射线衍射（XRD）分析 | 第46页 |
| 3.2.2 透射电镜（TEM）分析 | 第46页 |
| 3.2.3 电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）分析 | 第46-47页 |
| 3.2.4 X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第47页 |
| 3.3 样品电化学性质表征 | 第47-48页 |
| 3.3.1 电化学阻抗（EIS）分析 | 第47页 |
| 3.3.2 光电流（PC）瞬态响应测试 | 第47-48页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第48-55页 |
| 3.4.1 E-Bi_2S_3/SnS_2复合物形成过程 | 第48页 |
| 3.4.2 E-Bi_2S_3/SnS_2的XRD分析 | 第48-49页 |
| 3.4.3 BS-25 的TEM分析 | 第49-51页 |
| 3.4.4 BS-25 的XPS分析 | 第51-52页 |
| 3.4.5 BS-25 的EIS分析 | 第52页 |
| 3.4.6 BS-25 的PC分析 | 第52-53页 |
| 3.4.7 E-Bi_2S_3/SnS_2催化甲基橙降解反应中的应用研究 | 第53-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 少层数的Ce-SnS_2纳米材料的合成及其光催化性能研究 | 第57-66页 |
| 4.1 实验部分 | 第57-59页 |
| 4.1.1 试剂、仪器与设备 | 第57-58页 |
| 4.1.2 少层数Ce-SnS_2纳米材料的制备 | 第58页 |
| 4.1.3 Ce-SnS_2在可见光催化H2O裂解制氢反应中催化活性的研究 | 第58-59页 |
| 4.2 样品结构表征和组成分析 | 第59-60页 |
| 4.2.1 X射线衍射（XRD）分析 | 第59页 |
| 4.2.2 扫描电镜（SEM）分析 | 第59页 |
| 4.2.3 透射电镜（TEM）分析 | 第59页 |
| 4.2.4 电感耦合等离子体（ICP-OES）分析 | 第59页 |
| 4.2.5 X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第59-60页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第60-65页 |
| 4.3.1 Ce-SnS_2的XRD分析 | 第60页 |
| 4.3.2 Ce-SnS_2的SEM和TEM分析 | 第60-63页 |
| 4.3.3 Ce-SnS_2的XPS分析 | 第63页 |
| 4.3.4 Ce-SnS_2催化H2O分解产氢反应中催化活性的研究 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-77页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
