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大面积高性能薄膜光探测器阵列的构筑

致谢第7-8页
摘要第8-9页
Abstract第9页
第一章 绪论第18-30页
    1.1 引言第18页
    1.2 ZnSe与NiSe材料第18-20页
        1.2.1 ZnSe结构与性质第18-20页
        1.2.2 NiSe结构与性质第20页
    1.3 薄膜的形成与生长第20-23页
        1.3.1 凝结与表面扩散过程第20-21页
        1.3.2 薄膜晶核的形成与生长第21-22页
        1.3.3 薄膜的形成与生长第22-23页
    1.4 薄膜的制备方法第23-25页
        1.4.1 真空蒸发镀膜第23页
        1.4.2 分子束外延法第23页
        1.4.3 热壁外延法第23-24页
        1.4.5 化学气相沉积第24页
        1.4.6 化学浴沉积法第24页
        1.4.7 电化学沉积法第24-25页
    1.5 半导体薄膜光探测器第25-28页
        1.5.1 光探测器的原理第25页
        1.5.2 光探测器的性能参数第25-26页
        1.5.3 半导体薄膜探测器的研究现状第26-27页
        1.5.4 石墨烯在半导体薄膜探测器中的应用第27-28页
    1.6 研究背景及意义第28页
    1.7 研究内容第28-30页
第二章 实验材料、设备及表征方法第30-34页
    2.1 实验材料第30-31页
    2.2 实验设备第31页
    2.3 表征设备第31-34页
        2.3.1 光学显微镜第31页
        2.3.2 场发射扫描电子显微镜第31-32页
        2.3.3 X射线衍射仪第32页
        2.3.4 透射电子显微镜第32页
        2.3.5 原子力显微镜第32页
        2.3.6 X射线光电子能谱仪第32-33页
        2.3.7 拉曼光谱仪第33页
        2.3.8 紫外可见近红外分光光度计第33页
        2.3.9 能谱仪第33页
        2.3.10 半导体特性分析仪系统与探针台第33-34页
第三章 ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET柔性光探测器阵列的构筑第34-57页
    3.1 前言第34页
    3.2 大面积石墨烯的制备第34-37页
        3.2.1 衬底的处理第34-35页
        3.2.2 石墨烯的生长第35-37页
        3.2.3 石墨烯的转移第37页
    3.3 结果分析第37-45页
        3.3.1 石墨烯的形貌分析第37-41页
        3.3.2 石墨烯的拉曼分析第41-42页
        3.3.3 石墨烯的面电阻分析第42-44页
        3.3.4 石墨烯的光透过率分析第44-45页
    3.4 基于ZnSe薄膜/石墨烯复合的大规模集成的柔性光探测器图像传感器的构筑第45-46页
        3.4.1 实验过程第45-46页
    3.5 结果分析第46-56页
        3.5.1 条带ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET的形貌分析第46-47页
        3.5.2 条带ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET的结构分析第47-48页
        3.5.3 条带ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET的光探测性能表征第48-56页
    3.6 本章小结第56-57页
第四章 固相反应外延生长大晶粒NiSe薄膜及高性能的光探测器阵列的构筑第57-72页
    4.1 前言第57-58页
    4.2 实验过程第58页
        4.2.1 NiSe薄膜的生长第58页
        4.2.2 NiSe薄膜的转移第58页
        4.2.3 器件的制备第58页
    4.3 结果分析第58-64页
        4.3.1 NiSe薄膜的形貌分析第58-61页
        4.3.2 NiSe薄膜的结构分析第61-64页
    4.4 NiSe薄膜生长机制第64-68页
    4.5 NiSe薄膜光探测性能表征第68-71页
    4.6 本章小结第71-72页
第五章 结论与展望第72-73页
    5.1 结论第72页
    5.2 展望第72-73页
参考文献第73-81页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第81-83页

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