致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
Abstract | 第9页 |
第一章 绪论 | 第18-30页 |
1.1 引言 | 第18页 |
1.2 ZnSe与NiSe材料 | 第18-20页 |
1.2.1 ZnSe结构与性质 | 第18-20页 |
1.2.2 NiSe结构与性质 | 第20页 |
1.3 薄膜的形成与生长 | 第20-23页 |
1.3.1 凝结与表面扩散过程 | 第20-21页 |
1.3.2 薄膜晶核的形成与生长 | 第21-22页 |
1.3.3 薄膜的形成与生长 | 第22-23页 |
1.4 薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
1.4.1 真空蒸发镀膜 | 第23页 |
1.4.2 分子束外延法 | 第23页 |
1.4.3 热壁外延法 | 第23-24页 |
1.4.5 化学气相沉积 | 第24页 |
1.4.6 化学浴沉积法 | 第24页 |
1.4.7 电化学沉积法 | 第24-25页 |
1.5 半导体薄膜光探测器 | 第25-28页 |
1.5.1 光探测器的原理 | 第25页 |
1.5.2 光探测器的性能参数 | 第25-26页 |
1.5.3 半导体薄膜探测器的研究现状 | 第26-27页 |
1.5.4 石墨烯在半导体薄膜探测器中的应用 | 第27-28页 |
1.6 研究背景及意义 | 第28页 |
1.7 研究内容 | 第28-30页 |
第二章 实验材料、设备及表征方法 | 第30-34页 |
2.1 实验材料 | 第30-31页 |
2.2 实验设备 | 第31页 |
2.3 表征设备 | 第31-34页 |
2.3.1 光学显微镜 | 第31页 |
2.3.2 场发射扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
2.3.3 X射线衍射仪 | 第32页 |
2.3.4 透射电子显微镜 | 第32页 |
2.3.5 原子力显微镜 | 第32页 |
2.3.6 X射线光电子能谱仪 | 第32-33页 |
2.3.7 拉曼光谱仪 | 第33页 |
2.3.8 紫外可见近红外分光光度计 | 第33页 |
2.3.9 能谱仪 | 第33页 |
2.3.10 半导体特性分析仪系统与探针台 | 第33-34页 |
第三章 ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET柔性光探测器阵列的构筑 | 第34-57页 |
3.1 前言 | 第34页 |
3.2 大面积石墨烯的制备 | 第34-37页 |
3.2.1 衬底的处理 | 第34-35页 |
3.2.2 石墨烯的生长 | 第35-37页 |
3.2.3 石墨烯的转移 | 第37页 |
3.3 结果分析 | 第37-45页 |
3.3.1 石墨烯的形貌分析 | 第37-41页 |
3.3.2 石墨烯的拉曼分析 | 第41-42页 |
3.3.3 石墨烯的面电阻分析 | 第42-44页 |
3.3.4 石墨烯的光透过率分析 | 第44-45页 |
3.4 基于ZnSe薄膜/石墨烯复合的大规模集成的柔性光探测器图像传感器的构筑 | 第45-46页 |
3.4.1 实验过程 | 第45-46页 |
3.5 结果分析 | 第46-56页 |
3.5.1 条带ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET的形貌分析 | 第46-47页 |
3.5.2 条带ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET的结构分析 | 第47-48页 |
3.5.3 条带ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET的光探测性能表征 | 第48-56页 |
3.6 本章小结 | 第56-57页 |
第四章 固相反应外延生长大晶粒NiSe薄膜及高性能的光探测器阵列的构筑 | 第57-72页 |
4.1 前言 | 第57-58页 |
4.2 实验过程 | 第58页 |
4.2.1 NiSe薄膜的生长 | 第58页 |
4.2.2 NiSe薄膜的转移 | 第58页 |
4.2.3 器件的制备 | 第58页 |
4.3 结果分析 | 第58-64页 |
4.3.1 NiSe薄膜的形貌分析 | 第58-61页 |
4.3.2 NiSe薄膜的结构分析 | 第61-64页 |
4.4 NiSe薄膜生长机制 | 第64-68页 |
4.5 NiSe薄膜光探测性能表征 | 第68-71页 |
4.6 本章小结 | 第71-72页 |
第五章 结论与展望 | 第72-73页 |
5.1 结论 | 第72页 |
5.2 展望 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-81页 |
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第81-83页 |