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高迁移率半导体材料的自旋注入

摘要第4-7页
ABSTRACT第7-11页
第一章 绪论第14-27页
    1.1 引言第14-16页
    1.2 理论推导第16-19页
    1.3 测量方法第19-20页
    1.4 非局域几何磁电阻第20-23页
    1.5 电压可控的Pt/Co/AlOx超顺磁性膜第23-24页
    1.6 重金属自旋注入第24-25页
    1.7 纠缠的其他信号第25页
    1.8 本论文的结构第25-27页
第二章 实验技术与方法第27-32页
    2.1 薄膜生长技术第27页
    2.2 样品制备与后处理技术第27-28页
    2.3 样品表征技术第28-29页
    2.4 磁电测量技术第29-32页
第三章 纳米图型化光响应装置的设计集成与应用第32-44页
    3.1 光响应装置设计第32-35页
    3.2 光响应装置集成第35-41页
    3.3 光响应装置的应用第41-42页
    3.4 本章小结第42-44页
第四章 InAs材料非局域几何磁电阻第44-53页
    4.1 研究背景第44页
    4.2 非局域几何磁电阻的制备第44-46页
    4.3 非局域几何磁电阻的分析第46-52页
    4.4 本章小结第52-53页
第五章 Co/Pt/AlO_x结构的超顺磁性质第53-61页
    5.1 研究背景第53页
    5.2 Co/Pt/AlO_x的制备第53-55页
    5.3 Co/Pt/AlO_x超顺磁性质分析第55-60页
    5.4 本章小结第60-61页
第六章 SiC的自旋注入第61-73页
    6.1 研究背景第61-62页
    6.2 界面输运特性分析第62-65页
    6.3 实验测量第65-70页
    6.4 界面缺陷态的影响分析第70-72页
    6.5 本章小结第72-73页
第七章 论文小结与研究展望第73-75页
    7.1 论文小结第73-74页
    7.2 研究展望第74-75页
参考文献第75-85页
致谢第85-86页
攻读博士期间发表的学术论文及获得授权的专利第86页

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