高迁移率半导体材料的自旋注入
摘要 | 第4-7页 |
ABSTRACT | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第14-27页 |
1.1 引言 | 第14-16页 |
1.2 理论推导 | 第16-19页 |
1.3 测量方法 | 第19-20页 |
1.4 非局域几何磁电阻 | 第20-23页 |
1.5 电压可控的Pt/Co/AlOx超顺磁性膜 | 第23-24页 |
1.6 重金属自旋注入 | 第24-25页 |
1.7 纠缠的其他信号 | 第25页 |
1.8 本论文的结构 | 第25-27页 |
第二章 实验技术与方法 | 第27-32页 |
2.1 薄膜生长技术 | 第27页 |
2.2 样品制备与后处理技术 | 第27-28页 |
2.3 样品表征技术 | 第28-29页 |
2.4 磁电测量技术 | 第29-32页 |
第三章 纳米图型化光响应装置的设计集成与应用 | 第32-44页 |
3.1 光响应装置设计 | 第32-35页 |
3.2 光响应装置集成 | 第35-41页 |
3.3 光响应装置的应用 | 第41-42页 |
3.4 本章小结 | 第42-44页 |
第四章 InAs材料非局域几何磁电阻 | 第44-53页 |
4.1 研究背景 | 第44页 |
4.2 非局域几何磁电阻的制备 | 第44-46页 |
4.3 非局域几何磁电阻的分析 | 第46-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-53页 |
第五章 Co/Pt/AlO_x结构的超顺磁性质 | 第53-61页 |
5.1 研究背景 | 第53页 |
5.2 Co/Pt/AlO_x的制备 | 第53-55页 |
5.3 Co/Pt/AlO_x超顺磁性质分析 | 第55-60页 |
5.4 本章小结 | 第60-61页 |
第六章 SiC的自旋注入 | 第61-73页 |
6.1 研究背景 | 第61-62页 |
6.2 界面输运特性分析 | 第62-65页 |
6.3 实验测量 | 第65-70页 |
6.4 界面缺陷态的影响分析 | 第70-72页 |
6.5 本章小结 | 第72-73页 |
第七章 论文小结与研究展望 | 第73-75页 |
7.1 论文小结 | 第73-74页 |
7.2 研究展望 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
攻读博士期间发表的学术论文及获得授权的专利 | 第86页 |