| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 磁传感器研究现状和发展趋势 | 第9-17页 |
| 1.1.1 霍尔传感器 | 第9-10页 |
| 1.1.2 超导量子干涉仪 | 第10-11页 |
| 1.1.3 磁通门磁强计 | 第11-12页 |
| 1.1.4 巨磁电阻磁传感器 | 第12-13页 |
| 1.1.5 磁敏二极管 | 第13-15页 |
| 1.1.6 磁敏三极管 | 第15-17页 |
| 1.2 二维磁传感器研究现状 | 第17-26页 |
| 1.2.1 霍尔二维磁传感器研究现状 | 第17-21页 |
| 1.2.2 磁通门二维磁传感器研究现状 | 第21-24页 |
| 1.2.3 其他二维磁传感器研究现状 | 第24-26页 |
| 1.3 单片集成二维磁传感器研究目的和意义 | 第26-27页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第26-27页 |
| 1.3.2 研究意义 | 第27页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 单片集成二维磁传感器基本结构与工作原理 | 第29-41页 |
| 2.1 单片集成二维磁传感器基本结构 | 第29-30页 |
| 2.2 单片集成二维磁传感器工作原理 | 第30-40页 |
| 2.2.1 磁敏三极管工作原理 | 第30-33页 |
| 2.2.2 单片集成二维磁传感器工作原理 | 第33-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 单片集成二维磁传感器特性仿真 | 第41-49页 |
| 3.1 单片集成二维磁传感器特性仿真 | 第41-48页 |
| 3.1.1 硅磁敏三极管仿真模型构建 | 第41-42页 |
| 3.1.2 硅磁敏三极管特性仿真 | 第42-44页 |
| 3.1.3 单片集成二维磁传感器仿真模型构建 | 第44-45页 |
| 3.1.4 单片集成二维磁传感器特性仿真 | 第45-48页 |
| 3.2 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 单片集成二维磁传感器芯片设计、制作与封装 | 第49-59页 |
| 4.1 单片集成二维磁传感器芯片设计 | 第49-54页 |
| 4.1.1 单晶硅材料选择 | 第49-50页 |
| 4.1.2 封装集成二维磁传感器设计 | 第50-53页 |
| 4.1.3 单片集成二维磁传感器芯片版图设计 | 第53-54页 |
| 4.2 单片集成二维磁传感器芯片制作工艺 | 第54-56页 |
| 4.3 单片集成二维磁传感器芯片封装 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 实验结果与讨论 | 第59-82页 |
| 5.1 单片集成二维磁传感器IC-VCE特性 | 第59-66页 |
| 5.1.1 基区长度L对单片集成二维磁传感器IC-VCE特性影响 | 第59-62页 |
| 5.1.2 外加磁场对单片集成二维磁传感器IC-VCE特性影响 | 第62-66页 |
| 5.2 单片集成二维磁传感器静态特性 | 第66-77页 |
| 5.2.1 单片集成二维磁传感器特性测试系统及原理 | 第66-67页 |
| 5.2.2 基区长度L=140 μm单片集成二维磁传感器特性 | 第67-72页 |
| 5.2.3 基区长度L=180 μm单片集成二维磁传感器特性 | 第72-77页 |
| 5.3 单片集成二维磁传感器二维旋转磁特性 | 第77-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第89页 |
| 攻读学位期间申请专利 | 第89-90页 |
| 攻读学位期间科研项目 | 第90页 |
