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应用于存储器加固的ECC算法研究与实现

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第1章 绪论第10-14页
    1.1 研究背景第10页
    1.2 研究目的和意义第10-11页
    1.3 国内外研究现状第11-14页
第2章 半导体存储器的分类和物理机制第14-24页
    2.1 SRAM结构与错误机理第15-18页
        2.1.1 SRAM结构第15-17页
        2.1.2 SRAM错误机理第17-18页
    2.2 FLASH结构与错误机理第18-20页
    2.3 国内外存储器加固技术研究进展第20-22页
        2.3.1 器件级别和版图级别加固技术第20-21页
        2.3.2 电路级别加固技术第21-22页
        2.3.3 系统级别加固技术第22页
    2.4 本章小结第22-24页
第3章 ECC纠错码的理论基础与硬件实现第24-34页
    3.1 伽罗华域理论基础第24-28页
        3.1.1 伽罗华域及其运算简介第24-25页
        3.1.2 二元域上的向量空间与矩阵第25-27页
        3.1.3 GF(2~m)的构造与其元素的最小多项式第27-28页
    3.2 伽罗华域中的运算第28-34页
        3.2.1 多项式相加电路第29页
        3.2.2 多项式相乘电路第29-31页
        3.2.3 多项式相除电路第31-34页
第4章 常用的线性分组码和硬件实现第34-62页
    4.1 线性分组码第34-39页
        4.1.1 线性分组码简介第34-35页
        4.1.2 线性分组码的检错与纠错第35-37页
        4.1.3 循环码简介第37-39页
    4.2 汉明码第39-43页
    4.3 BCH码第43-57页
        4.3.1 二进制本原BCH码第43-45页
        4.3.2 BCH码的编码第45-48页
        4.3.3 并行BCH码的编码第48-50页
        4.3.4 BCH码的译码第50-57页
    4.4 RS码第57-60页
        4.4.1 RS码的编码第57-59页
        4.4.2 RS码的译码第59-60页
    4.5 本章小结第60-62页
第5章 BCH码应用于存储器加固的FPGA实现第62-74页
    5.1 BCH(31,16)码译码器的实现第62-64页
    5.2 BCH(255,231)码译码器的实现第64-65页
    5.3 RS(255,233)码译码器的实现第65-67页
    5.4 FPGA平台及工具介绍第67-68页
    5.5 FPGA测试平台的搭建与测试第68-72页
    5.6 本章小结第72-74页
第6章 总结与展望第74-76页
致谢第76-78页
参考文献第78-81页
攻读学位期间发表论文第81-82页
附件第82页

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