| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 相关研究综述 | 第9-14页 |
| 1.2.1 实验方法 | 第9-10页 |
| 1.2.2 理论计算方法 | 第10-13页 |
| 1.2.2.1 连续体模型 | 第11页 |
| 1.2.2.2 半连续体模型 | 第11-12页 |
| 1.2.2.3 基于半连续体模型的Keating形变势模型 | 第12页 |
| 1.2.2.4 第一性原理密度泛函理论 | 第12-13页 |
| 1.2.3 理论模拟方法 | 第13-14页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 掺杂单晶硅纳米薄膜杨氏模量的计算 | 第20-49页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 掺杂硅膜杨氏模量的计算 | 第20-43页 |
| 2.2.1 硅晶胞四分之一体对角线处掺杂磷 | 第22-35页 |
| 2.2.2 硅晶胞顶角处掺杂 | 第35-43页 |
| 2.3 结果分析与讨论 | 第43-46页 |
| 2.3.1 掺杂对硅膜杨氏模量的影响 | 第43-44页 |
| 2.3.2 掺杂浓度对硅膜杨氏模量的影响 | 第44-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 掺杂硅纳米梁谐振频率的半连续体模型计算 | 第49-64页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 掺杂硅梁挠度的计算 | 第49-55页 |
| 3.2.1 硅晶胞四分之一对角线处掺杂磷的挠度 | 第50-52页 |
| 3.2.2 硅晶胞顶角处掺杂磷的挠度 | 第52-54页 |
| 3.2.3 纯硅梁的挠度 | 第54-55页 |
| 3.3 掺杂硅梁谐振频率的模型计算 | 第55-58页 |
| 3.3.1 硅晶胞四分之一对角线处掺杂磷 | 第56-57页 |
| 3.3.2 硅晶胞顶角处掺杂磷 | 第57-58页 |
| 3.3.3 纯硅梁谐振频率 | 第58页 |
| 3.4 结果分析与讨论 | 第58-62页 |
| 3.4.1 不同掺杂位置对硅梁挠度的影响 | 第58-59页 |
| 3.4.2 不同长度和厚度对硅梁谐振频率的影响 | 第59-60页 |
| 3.4.3 不同掺杂浓度对硅梁谐振频率的影响 | 第60-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第四章 掺杂硅纳米梁谐振频率的分子动力学模拟 | 第64-73页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 模拟模型建立 | 第64-67页 |
| 4.2.1 硅晶胞四分之一对角线处掺杂磷的谐振频率值 | 第65-66页 |
| 4.2.2 硅晶胞顶角处掺杂磷的谐振频率值 | 第66-67页 |
| 4.2.3 长度为 32A的硅梁的谐振频率值 | 第67页 |
| 4.3 结果分析与讨论 | 第67-69页 |
| 4.3.1 掺杂浓度和长度尺寸对硅梁谐振频率的影响 | 第67-68页 |
| 4.3.2 掺杂浓度和厚度尺寸对硅梁谐振频率的影响 | 第68-69页 |
| 4.4 分子动力学模拟与半连续体模型计算的比较 | 第69-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 总结 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 发表文章目录 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
