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252kV GIS五种绝缘故障诱发因素的模拟计算及试验研究

摘要第10-11页
Abstract第11页
第一章 绪论第12-17页
    1.1 GIS简介第12页
    1.2 GIS的市场应用第12-13页
    1.3 GIS的常见故障第13-16页
    1.4 本文完成的工作第16-17页
第二章 电场计算方法与计算模型的选择第17-26页
    2.1 有限元分析在高压电器设备绝缘设计与分析中的应用第17-21页
        2.1.1 有限元法的发展第17页
        2.1.2 三维静电场的数学模型第17-19页
        2.1.3 电场计算在高压电器绝缘设计中的作用第19-20页
        2.1.4 ANSYS有限元分析软件第20-21页
    2.2 不同SF6气体压力下光洁导体的场强计算基准值第21-22页
    2.3 研究对象的选择及影响绝缘的典型因素第22-24页
        2.3.1 研究对象的选择第22-23页
        2.3.2 易导致252kV GIS发生绝缘故障的五种典型因素第23-24页
    2.4 本章小结第24-26页
第三章 金属颗粒对ZF16-252 GIS绝缘水平的影响第26-47页
    3.1 金属尖端第26-36页
        3.1.1 仿真模型的选择第26-27页
        3.1.2 金属尖端位于导体表面第27-30页
        3.1.3 金属尖端位于壳体内表面第30-33页
        3.1.4 试验验证第33-35页
        3.1.5 处理措施第35-36页
    3.2 金属微粒第36-46页
        3.2.1 仿真模型的选择第36页
        3.2.2 金属微粒位于导体表面第36-39页
        3.2.3 金属微粒位于壳体内腔第39-42页
        3.2.4 试验验证第42-45页
        3.2.5 处理措施第45-46页
    3.3 本章小结第46-47页
第四章 污秽对ZF16-252 GIS绝缘水平的影响第47-57页
    4.1 尘土(以高岭土为研究对象)第47-50页
    4.2 纸屑第50-55页
        4.2.1 仿真模型的选择第50-51页
        4.2.2 纸屑位于盆式绝缘子表面第51-53页
        4.2.3 纸屑位于导体屏蔽罩表面第53页
        4.2.4 试验验证第53-55页
    4.3 硅脂第55-56页
        4.3.1 试验验证第55页
        4.3.2 试验结果记录第55-56页
    4.4 处理措施第56页
    4.5 本章小结第56-57页
第五章 绝缘件内部气泡及悬浮电位对ZF16-252 GIS绝缘水平的影响第57-66页
    5.1 绝缘件内部气泡第57-62页
        5.1.1 仿真计算第57-61页
        5.1.2 试验验证第61页
        5.1.3 处理措施第61-62页
    5.2 悬浮电位第62-65页
        5.2.1 仿真计算第62-64页
        5.2.2 试验验证第64页
        5.2.3 处理措施第64-65页
    5.3 本章小结第65-66页
第六章 水分含量对ZF16-252 GIS绝缘水平的影响第66-73页
    6.1 水分含量对两电极间隙间工频耐压的影响第66-67页
    6.2 水分含量对绝缘管沿介质闪络的影响第67-69页
    6.3 苯乙酮饱和蒸汽对试品绝缘的影响第69-72页
    6.4 处理措施第72页
    6.5 本章小结第72-73页
第七章 结论第73-74页
参考文献第74-78页
致谢第78-79页
附件第79页

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