二氧化碲—维纳米结构的气敏性能研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 半导体气敏传感器 | 第12-14页 |
| 1.3 本文的研究意义及研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 TeO_2纳米线的制备表征和器件构筑 | 第16-28页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 TeO_2的结构与性质 | 第16-17页 |
| 2.3 TeO_2一维纳米结构的制备 | 第17-19页 |
| 2.3.1 制备方法和生长机理 | 第17-18页 |
| 2.3.2 实验装置 | 第18-19页 |
| 2.3.3 制备过程 | 第19页 |
| 2.4 结果和分析 | 第19-23页 |
| 2.4.1 二氧化碲一维纳米结构的XRD分析 | 第19-21页 |
| 2.4.2 二氧化碲一维纳米结构的SEM分析 | 第21-23页 |
| 2.5 构筑TeO_2纳米器件 | 第23-25页 |
| 2.6 测试系统介绍 | 第25-27页 |
| 2.6.1 气敏测试平台的搭建 | 第25-26页 |
| 2.6.2 测试程序介绍 | 第26-27页 |
| 2.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 气体吸附对TeO_2纳米线电导的影响 | 第28-36页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 欧姆接触样品的测试 | 第29-31页 |
| 3.3 肖特基接触样品的测试 | 第31-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 气体吸附对TeO_2纳米线忆阻性能的影响 | 第36-46页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 欧姆接触样品忆阻性能 | 第37-39页 |
| 4.3 肖特基接触样品忆阻性能测试 | 第39-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结和展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-59页 |
| 附录：攻读硕士学位期间论文完成情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
