| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 深空探测面临的挑战 | 第11-13页 |
| 1.3 石墨烯的研究现状 | 第13-19页 |
| 1.3.1 石墨烯的结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2 石墨烯的性质 | 第15-16页 |
| 1.3.3 石墨烯的制备方法 | 第16-17页 |
| 1.3.4 石墨烯应用存在的问题 | 第17-18页 |
| 1.3.5 固态碳源金属催化法的研究 | 第18-19页 |
| 1.4 金属催化SiC生长石墨烯的研究 | 第19-20页 |
| 1.5 选题依据 | 第20-21页 |
| 1.6 研究目的和研究内容 | 第21-22页 |
| 1.6.1 研究目的 | 第21页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第21-22页 |
| 1.7 本文的研究思路 | 第22-23页 |
| 2 实验部分 | 第23-30页 |
| 2.1 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2 制备工艺 | 第24-26页 |
| 2.2.1 硬质合金表面石墨烯的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Si片表面不同Co层生长石墨烯的制备 | 第25-26页 |
| 2.2.3 Si片表面不同碳源生长石墨烯的制备 | 第26页 |
| 2.3 表征方法 | 第26-30页 |
| 2.3.1 X射线衍射测试（XRD） | 第26-27页 |
| 2.3.2 拉曼光谱测试（Raman） | 第27-28页 |
| 2.3.3 三维白光干涉仪 | 第28页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| 2.3.5 原子力显微镜 | 第29页 |
| 2.3.6 四探针测试仪 | 第29-30页 |
| 3 硬质合金表面SiC薄膜退火制备石墨烯 | 第30-49页 |
| 3.1 退火温度对生长石墨烯的影响 | 第30-36页 |
| 3.2 不同退火时间的影响 | 第36-40页 |
| 3.3 不同碳含量的影响 | 第40-45页 |
| 3.4 Co催化SiC生成石墨烯的反应机理 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 4 Si片表面Co层变化对生长石墨烯的影响 | 第49-62页 |
| 4.1 Co层和SiC层相对位置对生长石墨烯的影响 | 第49-51页 |
| 4.2 Co层厚度对生长石墨烯的影响 | 第51-57页 |
| 4.3 Co层预退火对生长石墨烯的影响 | 第57-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 Si片表面碳源变化对生长石墨烯的影响 | 第62-74页 |
| 5.1 非晶SiC薄膜预退火对Co催化SiC生长石墨烯的影响 | 第62-66页 |
| 5.1.1 预退火温度对非晶SiC薄膜结晶的影响 | 第62-64页 |
| 5.1.2 SiC薄膜结晶对金属催化SiC生长石墨烯的影响 | 第64-66页 |
| 5.2 结晶SiC中气体流量对生长石墨烯的影响 | 第66-71页 |
| 5.2.1 气体流量对结晶SiC薄膜的影响 | 第66-68页 |
| 5.2.2 结晶SiC中气体流量不同对生长石墨烯的影响 | 第68-71页 |
| 5.3 金刚石作为固态碳源对生长石墨烯的影响 | 第71-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 6 结论 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 个人简历 | 第82-83页 |
| 在学期间研究成果 | 第83页 |
