碳化硅晶体生长的分子动力学模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·课题的背景及意义 | 第8-10页 |
| ·碳化硅的结构和性质 | 第10-12页 |
| ·液相法晶体生长理论 | 第12-14页 |
| ·晶体生长的计算机模拟 | 第14-15页 |
| ·本文的研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 分子动力学的方法及分析技术 | 第16-28页 |
| ·分子动力学方法 | 第16-25页 |
| ·基本原理 | 第16-17页 |
| ·系综 | 第17-18页 |
| ·系综调温技术 | 第18-20页 |
| ·系综调压技术 | 第20-21页 |
| ·势函数 | 第21-25页 |
| ·MEAM势函数 | 第21-23页 |
| ·Tersoff势函数 | 第23-25页 |
| ·分子动力学分析技术 | 第25-28页 |
| 第3章 碳化硅势函数的对比研究 | 第28-44页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·体熔化 | 第29-32页 |
| ·初始构型及模拟过程 | 第29页 |
| ·结果和讨论 | 第29-32页 |
| ·表面熔化 | 第32-39页 |
| ·初始构型及模拟过程 | 第32-33页 |
| ·结果和讨论 | 第33-39页 |
| ·晶体生长 | 第39-42页 |
| ·初始构型及模拟过程 | 第39页 |
| ·结果和讨论 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 温度对碳化硅晶体生长的影响 | 第44-54页 |
| ·初始模型及模拟过程 | 第44页 |
| ·模拟结果 | 第44-49页 |
| ·分析讨论 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 碳浓度对碳化硅晶体生长的影响 | 第54-60页 |
| ·初始模型及模拟过程 | 第54页 |
| ·模拟结果 | 第54-57页 |
| ·分析讨论 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第6章 生长面对碳化硅晶体生长的影响 | 第60-68页 |
| ·初始模型及模拟过程 | 第60-61页 |
| ·模拟结果 | 第61-66页 |
| ·分析讨论 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第7章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第73页 |
