| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第11页 |
| 1.2 单晶硅的切割工艺概述 | 第11-12页 |
| 1.3 单晶硅加工损伤研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 超声加工技术的应用及研究现状 | 第13-15页 |
| 1.5 本课题的研究思路与内容 | 第15-17页 |
| 第2章 超声辅助划切的磨粒作用机制 | 第17-25页 |
| 2.1 超声辅助划切的单颗磨粒的运动学模型 | 第17-18页 |
| 2.2 单颗磨粒在t时刻的位置、速度及加速度 | 第18-21页 |
| 2.2.1 单颗磨粒的轨迹方程 | 第18-20页 |
| 2.2.2 单颗磨粒的速度方程 | 第20页 |
| 2.2.3 单颗磨粒的加速度方程 | 第20-21页 |
| 2.3 超声辅助划切磨粒的运动轨迹分析 | 第21-24页 |
| 2.3.1 单颗磨粒的运动轨迹计算分析 | 第21-22页 |
| 2.3.2 多颗磨粒的运动轨迹计算分析 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 超声辅助划切单晶硅实验方案设计 | 第25-37页 |
| 3.1 单晶硅划切方案的总体设计 | 第25-27页 |
| 3.1.1 划切实验的方案设计 | 第25-26页 |
| 3.1.2 工件材料的选择 | 第26-27页 |
| 3.2 单晶硅划切实验系统组成 | 第27-34页 |
| 3.2.1 BT40径向超声辅助锯切刀柄 | 第28-30页 |
| 3.2.2 加工机床及夹具系统 | 第30-31页 |
| 3.2.3 夹具的安装调整与超薄切割片的修整 | 第31-33页 |
| 3.2.4 划切力检测系统及工件形貌检测设备 | 第33-34页 |
| 3.3 单晶硅划切实验工艺参数设定 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 超声辅助划切对切削力及材料去除的影响 | 第37-46页 |
| 4.1 单晶硅的划切力的特点 | 第37-41页 |
| 4.1.1 主轴转速n对划切力的影响 | 第38-39页 |
| 4.1.2 进给速率vw对划切力的影响 | 第39-41页 |
| 4.2 单晶硅划切加工中的崩边情况 | 第41-43页 |
| 4.3 划切区域底面SEM形貌特征分析 | 第43-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 划切单晶硅断面形成分析及其损伤层深度分析与研究 | 第46-74页 |
| 5.1 超声辅助划切单晶硅断面形成机制分析 | 第46-48页 |
| 5.1.1 划切断面形成模型的建立 | 第47页 |
| 5.1.2 断面形成受力分析 | 第47-48页 |
| 5.2 超声辅助划切单晶硅断面形貌研究 | 第48-56页 |
| 5.2.1 单晶硅断面的SEM形貌研究 | 第48-52页 |
| 5.2.2 单晶硅断面的粗糙度分析 | 第52-56页 |
| 5.3 划切单晶硅断面损伤分析 | 第56-58页 |
| 5.3.1 单晶硅断面损伤层深度的检测方式 | 第57页 |
| 5.3.2 断面损伤形成的机制 | 第57-58页 |
| 5.4 化学蚀刻法测量损伤层深度 | 第58-65页 |
| 5.4.1 单晶硅片在HF-HNO3溶液体系中的腐蚀机理 | 第58页 |
| 5.4.2 HF-HNO3溶液配制及腐蚀速率的测定 | 第58-62页 |
| 5.4.3 酸腐蚀测量损伤层实验的设计 | 第62页 |
| 5.4.5 腐蚀法测得断面损伤层深度分析 | 第62-65页 |
| 5.5 截面抛光法测量损伤层深度 | 第65-68页 |
| 5.5.1 截面抛光法实验方案设计 | 第65页 |
| 5.5.2 样品制备及实验设备 | 第65-66页 |
| 5.5.3 截面抛光法测得损伤层形貌分析 | 第66-67页 |
| 5.5.4 截面抛光法测得损伤层深度分析 | 第67-68页 |
| 5.6 表面粗糙度与损伤层深度的相关分析 | 第68-72页 |
| 5.6.1 损伤层深度预估模型的建立 | 第69-71页 |
| 5.6.2 损伤层预估模型的验证 | 第71-72页 |
| 5.7 本章小结 | 第72-74页 |
| 第6章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 6.1 全文总结 | 第74-75页 |
| 6.2 展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第84页 |
