摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 文献综述 | 第10-30页 |
1.1 研究背景 | 第10-11页 |
1.1.1 多晶硅简介 | 第10页 |
1.1.2 中国多晶硅行业发现现状 | 第10-11页 |
1.2 多晶硅主要生产工艺介绍 | 第11-15页 |
1.2.1 改良西门子法 | 第11-13页 |
1.2.2 硅烷热分解法 | 第13-15页 |
1.2.3 流化床法 | 第15页 |
1.3 四氯化硅的综合利用 | 第15-19页 |
1.3.1 生产白炭黑 | 第15-16页 |
1.3.2 生产有机硅产品 | 第16-17页 |
1.3.3 生产光纤 | 第17页 |
1.3.4 制备三氯氢硅 | 第17-19页 |
1.4 四氯化硅的氢化技术 | 第19-26页 |
1.4.1 热氢化技术 | 第19-20页 |
1.4.2 低温催化氢化方法 | 第20页 |
1.4.3 冷氢化方法 | 第20-21页 |
1.4.4 氯氢化方法 | 第21页 |
1.4.5 等离子体氢化方法 | 第21-26页 |
1.5 低温等离子反应介绍 | 第26-29页 |
1.5.1 低温等离子体基本性质 | 第26页 |
1.5.2 低温等离子体产生和诊断 | 第26-27页 |
1.5.3 低温等离子体在化学化工领域的应用 | 第27-29页 |
1.6 本文研究目的和内容 | 第29-30页 |
第二章 四氯化硅低温等离子体氢化试验探索 | 第30-58页 |
2.1 引言 | 第30-32页 |
2.1.1 介质阻挡放电 | 第30页 |
2.1.2 介质阻挡放电结构 | 第30-31页 |
2.1.3 介质阻挡放电特性 | 第31-32页 |
2.2 实验流程 | 第32-34页 |
2.3 实验设备与试剂 | 第34-38页 |
2.3.1 低温等离子体发生器 | 第34-35页 |
2.3.2 石英管式反应器 | 第35-36页 |
2.3.3 四氯化硅鼓泡器 | 第36-37页 |
2.3.4 主要试剂 | 第37-38页 |
2.4 实验测量系统 | 第38-39页 |
2.4.1 气体流量的测定 | 第38页 |
2.4.2 气体压力的测定 | 第38页 |
2.4.3 进料温度的测定 | 第38页 |
2.4.4 反应后气体组成的测量 | 第38-39页 |
2.4.5 测量仪器 | 第39页 |
2.5 四氯化硅低温等离子体氢化工艺探索 | 第39-53页 |
2.5.1 放电条件探索 | 第39-44页 |
2.5.2 四氯化硅低温等离子体氢化试验探索 | 第44-53页 |
2.6 低温等离子体还原四氯化硅反应机理研究 | 第53-56页 |
2.7 小结 | 第56-58页 |
第三章 镍催化剂用于四氯化硅氢化的研究 | 第58-76页 |
3.1 引言 | 第58-60页 |
3.1.1 过渡金属催化剂 | 第58-59页 |
3.1.2 碱土金属催化剂 | 第59页 |
3.1.3 复合催化剂 | 第59页 |
3.1.4 碳基催化剂 | 第59-60页 |
3.2 实验流程 | 第60-61页 |
3.3 主要化学仪器和试剂 | 第61-63页 |
3.4 实验测量及控制系统 | 第63-65页 |
3.4.1 测量仪器 | 第64页 |
3.4.2 氢气进料测量和控制仪表系统 | 第64-65页 |
3.4.3 液体进料量的测量和控制 | 第65页 |
3.4.4 预热炉自动控温仪及数值显示 | 第65页 |
3.4.5 反应炉温度、压力测定及数值显示 | 第65页 |
3.4.6 尾气流量测定 | 第65页 |
3.5 负载型镍催化剂的制备 | 第65-66页 |
3.5.1 载体预处理 | 第65-66页 |
3.5.2 负载型Ni/Al,Ni/HZSM-5 催化剂的制备 | 第66页 |
3.5.3 催化剂的程序升温还原 | 第66页 |
3.6 不同类型镍催化剂活性的研究 | 第66-69页 |
3.7 Ni/HZSM-5 催化剂工艺参数研究 | 第69-74页 |
3.7.1 反应温度对Ni/HZSM-5 催化活性的影响 | 第69-70页 |
3.7.2 反应压力对Ni/HZSM-5 催化活性的影响 | 第70-71页 |
3.7.3 进料H_2/SiCl_4摩尔比对Ni/HZSM-5 催化活性的影响 | 第71-72页 |
3.7.4 空速对Ni/HZSM-5 催化活性的影响 | 第72-73页 |
3.7.5 负载量对Ni/HZSM-5 催化活性的影响 | 第73-74页 |
3.8 小结 | 第74-76页 |
第四章 结论与展望 | 第76-78页 |
4.1 结论 | 第76-77页 |
4.2 展望 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-83页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第83-84页 |
致谢 | 第84-85页 |