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卤族元素掺杂对Bi2WO6半导体光催化性能的改善

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪论第8-16页
    1.1 前言第8-9页
    1.2 光催化和光催化剂第9-10页
    1.3 半导体性能的改善以及可见光光催化的研究第10-13页
    1.4 BI_2WO_6半导体作为光催化剂的研究第13-16页
第2章 理论基础第16-26页
    2.1 第一性原理计算方法的概述第16-17页
    2.2 多粒子系统的薛定谔方程第17-18页
    2.3 绝热近似(BORN-OPPENHEIMER近似)第18-19页
    2.4 HARTREE-FOCK近似第19-20页
    2.5 密度泛函理论第20-23页
        2.5.1 Thomas-Fermi模型第21页
        2.5.2 Hohenberg-Kohn定理第21-22页
        2.5.3 Kohn-Sham方程第22-23页
        2.5.4 局域密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA)第23页
    2.6 VASP程序软件包的简介第23-26页
第3章 溴掺杂对钨酸铋光催化剂活性的影响第26-36页
    3.1 引言第26页
    3.2 实验部分第26-29页
    3.3 理论计算部分第29-34页
        3.3.1 计算方法和计算模型第29-30页
        3.3.2 结构优化第30-31页
        3.3.3 电子结构第31-34页
        3.3.4 吸收光谱第34页
    3.4 本章小结第34-36页
第4章 卤族元素掺杂对钨酸铋半导体光催化性能的影响第36-46页
    4.1 引言第36-37页
    4.2 计算细节第37-38页
    4.3 结果分析第38-44页
    4.4 本章小结第44-46页
第5章 总结第46-48页
参考文献第48-58页
致谢第58-60页
攻读硕士学位期间的科研成果第60页

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