| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 纳米技术和纳米材料 | 第10-13页 |
| 1.1.1 纳米材料的诞生与发展 | 第10-12页 |
| 1.1.2 纳米材料的概念与分类 | 第12页 |
| 1.1.3 纳米材料的性质 | 第12-13页 |
| 1.2 纳米带的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的基本框架 | 第14-16页 |
| 第2章 理论基础 | 第16-24页 |
| 2.1 第一性原理简述 | 第16-17页 |
| 2.2 绝热近似 | 第17页 |
| 2.3 单电子轨道近似 | 第17-18页 |
| 2.4 HK定理(Hohenberg-Kohn Theorenm) | 第18-24页 |
| 2.4.1 KS方程(Kohn-Sham方程) | 第19页 |
| 2.4.2 局域密度近似(LDA) | 第19-20页 |
| 2.4.3 广义梯度近似(GGA) | 第20页 |
| 2.4.4 关于计算VASP软件程序 | 第20-24页 |
| 第3章 F饱和不同类型GaNNRs边缘的第—性原理 | 第24-30页 |
| 3.1 引言 | 第24-25页 |
| 3.2 结构模型和计算方法 | 第25-26页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第26-29页 |
| 3.4 结论 | 第29-30页 |
| 第4章 气体分子吸附在Rh掺杂不同石墨烯基底的第一性原理计算 | 第30-42页 |
| 4.1 引言 | 第30-31页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第31-32页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第32-40页 |
| 4.3.1 吸附的几何结构和稳定性 | 第32-36页 |
| 4.3.2 电子结构 | 第36-40页 |
| 4.4 结论 | 第40-42页 |
| 第5章 结论 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第54页 |
