| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·半导体材料研究简介 | 第9-11页 |
| ·半导体材料在光电转换领域的应用 | 第9-10页 |
| ·半导体光生电流原理 | 第10-11页 |
| ·提高半导体材料光电转换效率的方法 | 第11-18页 |
| ·掺杂构建半导体异质结 | 第12页 |
| ·半导体异质结分类及原理简介 | 第12-18页 |
| ·石墨相氮化碳简介 | 第18-25页 |
| ·石墨相氮化碳的基本性质 | 第18-20页 |
| ·石墨相氮化碳的光电研究现状 | 第20-21页 |
| ·提高石墨相氮化碳光电性能的方法 | 第21-25页 |
| ·本论文的研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 多孔石墨相碳化氮/二氧化钛复合材料的制备及其光电性能研究 | 第26-41页 |
| ·前言 | 第26-27页 |
| ·实验部分 | 第27-31页 |
| ·试剂与仪器 | 第27-28页 |
| ·材料制备 | 第28-29页 |
| ·材料表征 | 第29页 |
| ·材料的光电流响应测试方法 | 第29-31页 |
| ·结果讨论和分析 | 第31-36页 |
| ·材料的形貌结构表征和分析 | 第31-32页 |
| ·材料的N_2脱吸附测试结果及分析 | 第32-33页 |
| ·材料的晶体结构表征和分析 | 第33-34页 |
| ·材料的FT-IR表征和分析 | 第34-35页 |
| ·材料的紫外吸收表征和分析 | 第35-36页 |
| ·材料的光电性能测试 | 第36-39页 |
| ·材料的光电流测试结果与讨论 | 第36-38页 |
| ·材料光电性能提升机理 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 离子交换法制备铂纳米粒子负载的石墨相氮化碳及其光电性能研究 | 第41-57页 |
| ·前言 | 第41-42页 |
| ·实验部分 | 第42-46页 |
| ·试剂与仪器 | 第42-43页 |
| ·样品制备 | 第43-45页 |
| ·材料表征 | 第45页 |
| ·材料的光电流响应测试方法 | 第45-46页 |
| ·结果讨论与分析 | 第46-52页 |
| ·材料的形貌结构表征和分析 | 第46-48页 |
| ·材料的N_2脱吸附测试结果及分析 | 第48-49页 |
| ·材料的晶体结构表征和分析 | 第49-50页 |
| ·材料的FT-IR表征和分析 | 第50-51页 |
| ·材料的紫外吸收表征和分析 | 第51-52页 |
| ·元素分析表征 | 第52页 |
| ·材料的光电性能测试 | 第52-56页 |
| ·材料的光电流测试结果与讨论 | 第52-55页 |
| ·材料的光电流提升机理 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-69页 |
| 在校期间学术成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |