| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·忆阻器概况 | 第10-13页 |
| ·忆阻器理论 | 第10-11页 |
| ·忆阻器发展前景 | 第11页 |
| ·忆阻特性 | 第11-13页 |
| ·忆阻器薄膜材料 | 第13-15页 |
| ·TiO_2结构和特性 | 第13-14页 |
| ·TiO_2忆阻性能 | 第14-15页 |
| ·水热工艺制备 TiO_2薄膜 | 第15-16页 |
| ·主要的水热工艺 | 第15页 |
| ·氟离子在水热生长 TiO_2中的作用 | 第15-16页 |
| ·薄膜忆阻器的忆阻机理 | 第16-18页 |
| ·导电丝机制 | 第16-17页 |
| ·空位扩散机制 | 第17-18页 |
| ·其他忆阻机制 | 第18页 |
| ·薄膜忆阻器结构 | 第18-19页 |
| ·课题的提出与研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 | 第20-24页 |
| ·原料与设备 | 第20-21页 |
| ·实验原料 | 第20页 |
| ·实验设备 | 第20-21页 |
| ·实验方案和实验方法 | 第21-23页 |
| ·实验方案 | 第21-22页 |
| ·试验方法 | 第22-23页 |
| ·测试与表征 | 第23-24页 |
| 第三章 水热工艺制备（001）取向 TiO_2薄膜及其机理研究 | 第24-36页 |
| ·TiO_2薄膜形貌与结构 | 第24-26页 |
| ·种子层对薄膜形貌的影响 | 第26-29页 |
| ·生长条件对 TiO_2薄膜的影响 | 第29-32页 |
| ·生长温度和时间对 TiO_2薄膜结构和形貌的影响 | 第29-31页 |
| ·F-离子对薄膜取向性的影响 | 第31-32页 |
| ·水热工艺制备薄膜的生长机理 | 第32-34页 |
| 小结 | 第34-36页 |
| 第四章 （001）取向 TiO_2薄膜忆阻性能研究 | 第36-48页 |
| ·薄膜质量对忆阻性能的影响 | 第36-44页 |
| ·薄膜厚度对忆阻器性能的影响 | 第36-40页 |
| ·薄膜致密度对忆阻器性能的影响 | 第40-42页 |
| ·退火对忆阻器性能的影响 | 第42-44页 |
| ·上电极材料对忆阻性能的影响 | 第44-46页 |
| 小结 | 第46-48页 |
| 第五章 (001)取向 TiO_2薄膜忆阻器的机理研究 | 第48-60页 |
| ·不同晶体结构的 TiO_2薄膜忆阻性能研究 | 第48-52页 |
| ·多取向 TiO_2薄膜忆阻性能研究 | 第48-52页 |
| ·单一取向 TiO_2薄膜忆阻性能研究 | 第52页 |
| ·取向度不同的 TiO_2薄膜忆阻性能的研究 | 第52-56页 |
| ·(001)取向 TiO_2薄膜忆阻器的忆阻机理和其他忆阻性能 | 第56-57页 |
| ·(001)取向 TiO_2薄膜忆阻器的忆阻机理 | 第56页 |
| ·(001)取向 TiO_2薄膜忆阻器的其他忆阻特性 | 第56-57页 |
| 小结 | 第57-60页 |
| 第六章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 附录 | 第70页 |
