| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 1 引言 | 第11-23页 |
| ·InGaN 材料概述 | 第11-17页 |
| ·InGaN 材料的生长 | 第11-13页 |
| ·InGaN 材料的特性 | 第13-16页 |
| ·有关 InGaN 材料的一些基本参数 | 第16-17页 |
| ·GaN 基紫外探测器 | 第17-21页 |
| ·GaN 基紫外探测器的分类与性能 | 第17-20页 |
| ·InGaN 紫外探测器的研究进展 | 第20-21页 |
| ·研究内容及论文安排 | 第21-23页 |
| 2 p 型 GaN 材料欧姆接触特性研究 | 第23-41页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·金属-半导体接触理论及传输线模型 | 第23-26页 |
| ·欧姆接触形成原理 | 第23-24页 |
| ·传输线模型理论 | 第24-26页 |
| ·表面处理对 p-GaN 欧姆接触特性的影响 | 第26-29页 |
| ·湿法化学腐蚀 | 第26-27页 |
| ·I-V 测试结果分析 | 第27-29页 |
| ·退火对 p 电极 M-S 接触特性的研究 | 第29-33页 |
| ·p 电极的退火实验 | 第29页 |
| ·光电测试及结果分析 | 第29-33页 |
| ·p 型包裹电极的欧姆接触研究 | 第33-40页 |
| ·异质结能带及二维电子气理论 | 第33-35页 |
| ·包裹电极的设计及制备 | 第35-37页 |
| ·退火对帽层结构欧姆接触的影响 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 3 InGaN 器件其他制备工艺的优化 | 第41-53页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·刻蚀损伤 | 第42-44页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·实验 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-44页 |
| ·刻蚀功率对器件的影响 | 第44-47页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-47页 |
| ·刻蚀后的湿法处理 | 第47-48页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-48页 |
| ·钝化层材料的选择 | 第48-51页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 4 InGaN p-i-n 型正照射紫外探测器的研究 | 第53-67页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·InGaN 材料的生长 | 第54-55页 |
| ·InGaN 单元器件的结构设计及工艺流程 | 第55-57页 |
| ·800×8 元长线列 InGaN 紫外焦平面探测器的研制 | 第57-60页 |
| ·长线列器件光刻版图设计 | 第57-58页 |
| ·长线列器件制备 | 第58-60页 |
| ·InGaN 器件伏安特性研究 | 第60-63页 |
| ·性能测试 | 第60-61页 |
| ·器件光谱探测率的计算 | 第61-62页 |
| ·InGaN 器件 I-V 测试结果分析 | 第62-63页 |
| ·InGaN 器件响应特性研究 | 第63-66页 |
| ·性能测试 | 第63页 |
| ·响应率的计算 | 第63-65页 |
| ·InGaN 器件响应光谱分析 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 5 InGaN 肖特基光电器件的研究 | 第67-78页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·肖特基势垒及其整流效应 | 第67-70页 |
| ·肖特基势垒 | 第67-69页 |
| ·肖特基整流效应 | 第69-70页 |
| ·InGaN 肖特基器件的制备 | 第70-72页 |
| ·InGaN 肖特基器件的性能表征 | 第72-77页 |
| ·器件的 I-V 特性及参数提取 | 第72-75页 |
| ·器件的电容特性 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 6 结论与展望 | 第78-80页 |
| ·结论 | 第78-79页 |
| ·展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-87页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第87页 |