| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-27页 |
| ·纳电子器件的发展背景 | 第15-16页 |
| ·碳纳米管纳电子器件 | 第16-19页 |
| ·碳纳米管晶体管 | 第16-18页 |
| ·碳纳米管集成电路 | 第18-19页 |
| ·石墨烯纳电子器件 | 第19-24页 |
| ·石墨烯晶体管 | 第20-21页 |
| ·石墨烯集成电路 | 第21-22页 |
| ·自旋电子学在石墨烯中的应用 | 第22-23页 |
| ·谷电子学在石墨烯中的应用 | 第23-24页 |
| ·本论文的内容和意义 | 第24-27页 |
| 第2章 石墨烯晶格和电子结构及相关的理论方法 | 第27-49页 |
| ·石墨烯的晶体结构 | 第27-28页 |
| ·石墨烯的基本电子结构 | 第28-30页 |
| ·紧束缚近似方法 | 第30-32页 |
| ·Landauer-Büttiker 公式及格林函数方法 | 第32-35页 |
| ·密度泛函理论（DFT） | 第35-49页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第35-36页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第36-39页 |
| ·LDA 和 GGA | 第39-41页 |
| ·描述纳米结构输运性质的密度泛函理论 | 第41-49页 |
| 第3章 自旋调控下的石墨烯电子输运特性的理论研究 | 第49-57页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·计算模型 | 第50-51页 |
| ·计算结果与讨论 | 第51-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第4章 五八环线缺陷对石墨烯电子结构的调控 | 第57-89页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·石墨烯线缺陷中准一维电子态的解析形式 | 第58-72页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第58-65页 |
| ·数值结果与讨论 | 第65-72页 |
| ·小结 | 第72页 |
| ·石墨烯线缺陷超晶格的电子输运性质 | 第72-79页 |
| ·理论方法 | 第73-74页 |
| ·数值结果与讨论 | 第74-79页 |
| ·小结 | 第79页 |
| ·石墨烯线缺陷超晶格的谷极化电子输运 | 第79-89页 |
| ·理论方法 | 第80-84页 |
| ·数值结果与讨论 | 第84-87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 第5章 嵌有 Stone-Wales 线缺陷碳纳米管的谷极化电子输运 | 第89-99页 |
| ·引言 | 第89页 |
| ·计算方法和模型 | 第89-93页 |
| ·数值结果和讨论 | 第93-97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 第6章 双层石墨烯中固有边缘态和拓扑绝缘体螺旋边界态之间的相互作用 | 第99-109页 |
| ·引言 | 第99-100页 |
| ·计算模型和哈密顿量 | 第100-102页 |
| ·结果与讨论 | 第102-107页 |
| ·小结 | 第107-109页 |
| 结论 | 第109-113页 |
| 参考文献 | 第113-123页 |
| 在学期间所取得的科研成果 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
