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应用于智能卡的高精度CMOS温度传感器设计与研究

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·集成温度传感器第9-11页
     ·集成温度传感器与传统温度传感器比较第9-10页
     ·模拟集成温度传感器的输出类型第10-11页
   ·国内外关于 CMOS 集成温度传感器的研究动态第11页
   ·论文研究的目的及意义第11-12页
   ·论文的内容安排第12-13页
第二章 双极型晶体管的基本特性第13-19页
   ·双极性晶体管的基本物理特性第13-16页
     ·双极性晶体管的基本符号第13-14页
     ·IE-VBE的理想特性第14页
     ·IC-VBE的非理想特性第14-15页
     ·IE-VBE非理想特性第15-16页
   ·双极型晶体管在 CMOS 工艺下的实现第16-17页
   ·本章小结第17-19页
第三章 带隙基准电路设计及实现第19-43页
   ·低噪声、低失调斩波运放第19-24页
     ·采用低噪声、低失调技术背景第19页
     ·常用的减小失调及 1/f 噪声的主要方法及优缺点第19-20页
     ·动态失调消除技术第20-24页
   ·低噪声、低失调运放电路设计及实现第24-28页
     ·运放整体电路结构第24-25页
     ·斩波器以及非交叠时钟电路实现第25-27页
     ·低通滤波器以及电路的降噪处理第27页
     ·斩波频率的选择第27-28页
   ·运放输入失调对输出的影响第28-29页
   ·电阻的选择第29页
   ·电流模带隙基准源基本原理及电路实现第29-33页
     ·传统结构的带隙基准源第30-31页
     ·低压低失调 CMOS 带隙基准源基本原理第31-32页
     ·带隙基准核心电路设计实现第32-33页
   ·启动电路设计实现第33页
   ·电流模基准电路相关参数仿真第33-42页
     ·PNP 管 Vbe 与电流之间的关系第33-34页
     ·VBE 的温度特性第34-35页
     ·电阻温度系数第35-36页
     ·基准电压温度系数第36页
     ·基准电压的电压系数第36-37页
     ·运放的开环增益及相位裕度仿真第37-38页
     ·基准电压的电源电压抑制比(PSRR)第38-39页
     ·电路噪声分析第39-41页
     ·输出基准电压 VREF瞬态特性第41-42页
   ·本章小结第42-43页
第四章 CMOS 温度传感器电路设计与实现第43-61页
   ·PTAT 电路设计与实现第43-45页
   ·迟滞电压比较器基本原理及电路实现第45-48页
     ·比较器的基本特点第45页
     ·迟滞比较器第45-48页
   ·温度传感器中的数字模块设计第48-51页
     ·3-8 译码器设计第48-49页
     ·时序逻辑控制电路第49-50页
     ·分频器设计第50-51页
   ·温度传感器整体电路仿真第51-60页
     ·温度传感器性能参数指标第51-52页
     ·温度传感器整体电路图第52页
     ·VPTAT 电路中运放增益及相位裕度仿真第52-53页
     ·VPTAT 电路中运放的电源抑制比仿真第53-54页
     ·PTAT 电路正温度系数仿真第54页
     ·非交叠时钟产生电路仿真第54-55页
     ·迟滞比较器迟滞量及分辨率仿真第55-57页
     ·高低温报警阈值仿真第57-59页
     ·自检时序仿真第59-60页
   ·本章小结第60-61页
第五章 版图设计及流片验证第61-73页
   ·版图设计中的匹配规则第61-64页
     ·MOS 管的匹配第61-62页
     ·电阻的匹配第62-63页
     ·双极性晶体管匹配原则第63-64页
   ·版图设计中应注意的寄生效应第64-65页
     ·寄生电容第64-65页
     ·闩锁效应第65页
   ·温度传感器电路的版图实现第65-66页
   ·流片测试及结果分析第66-71页
     ·芯片封装管脚说明以及封装示意图第66-67页
     ·基准电压测试第67-69页
     ·高低温报警阈值测试第69-70页
     ·整体芯片功耗测试第70-71页
   ·核心参数与设计指标对照第71-72页
   ·本章小结第72-73页
第六章 总结与展望第73-75页
   ·总结第73页
   ·展望第73-75页
致谢第75-77页
参考文献第77-80页

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