| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·GaN 基微波功率器件概述 | 第7-10页 |
| ·GaN 基 FP-HEMTs 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·本论文的主要任务及工作安排 | 第12-13页 |
| 第二章 场板对 HEMT 器件的影响 | 第13-25页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 中的电流崩塌现象 | 第13-16页 |
| ·电流崩塌现象的虚栅模型解释 | 第13-15页 |
| ·电流崩塌的解决方案 | 第15-16页 |
| ·场板提高击穿电压机理 | 第16-20页 |
| ·场板的发展 | 第16-19页 |
| ·场板提高击穿电压的物理机制 | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN FP-HEMT 的主要结构 | 第20-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 场板结构 AlGaN/GaN HEMT 中电场分布的仿真 | 第25-35页 |
| ·Silvaco-ATLAS 二维器件仿真 | 第25-26页 |
| ·GaN 基器件仿真的软件平台 | 第25-26页 |
| ·GaN 基 HEMT 仿真的基本问题 | 第26页 |
| ·场板对 AlGaN/GaN HEMT 势垒层中电场分布的影响 | 第26-30页 |
| ·场板尺寸的优化 | 第30-33页 |
| ·场板下钝化层厚度的优化 | 第30-31页 |
| ·场板长度的优化 | 第31-32页 |
| ·不同场板尺寸的优化结果对比 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 浮空复合型场板结构 AlGaN/GaN HEMT 的设计及特性分析 | 第35-55页 |
| ·浮空复合型场板结构 AlGaN/GaN HEMT 的设计 | 第35-37页 |
| ·浮空复合型 FP-HEMT 器件的电场调制作用研究 | 第37-41页 |
| ·浮空复合型 FP-HEMT 器件中载流子浓度分布的影响 | 第41-42页 |
| ·浮空复合场板 AlGaN/GaN HEMT 器件的优化设计 | 第42-46页 |
| ·钝化层厚度的优化 | 第43-44页 |
| ·场板间距的优化 | 第44-45页 |
| ·优化规律小结 | 第45-46页 |
| ·浮空复合型场板结构 AlGaN/GaN HEMT 的特性分析 | 第46-53页 |
| ·浮空复合型场板结构 AlGaN/GaN HEMT 的直流特性分析 | 第46-48页 |
| ·浮空复合型场板器件的 S 参数 | 第48-49页 |
| ·浮空复合场板结构 AlGaN/GaN HEMT 的频率特性 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 栅浮空场板结构 AlGaN/GaN HEMT 的设计及特性分析 | 第55-67页 |
| ·栅浮空场板结构的 AlGaN/GaN HEMT 的设计 | 第55-56页 |
| ·栅浮空场板对 AlGaN/GaN HEMT 势垒层中电场分布的影响 | 第56-61页 |
| ·不同场板结构 AlGaN/GaN HEMT 的频率特性分析 | 第61-63页 |
| ·不同场板结构对 AlGaN/GaN HEMT 击穿特性的影响 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 结论与展望 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
