| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·功率器件的发展和应用 | 第10-12页 |
| ·碳化硅材料的发展和优势 | 第12-13页 |
| ·碳化硅功率器件的研究现状 | 第13-15页 |
| ·碳化硅功率器件的发展现状 | 第13-14页 |
| ·碳化硅大功率肖特基势垒二极管(SBD)的研究现状 | 第14-15页 |
| ·本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 碳化硅 SBD 器件原理及模型参数 | 第17-27页 |
| ·碳化硅 SBD 器件的工作原理 | 第17-22页 |
| ·4H -SiC 模型参数 | 第22-26页 |
| ·三个基本方程 | 第22-24页 |
| ·常用物理模型及其参数 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 高压 4H-SiC 功率 SBD 结终端研究 | 第27-46页 |
| ·常用结终端技术 | 第27-29页 |
| ·场板技术 | 第27-28页 |
| ·场限环技术 | 第28页 |
| ·结终端扩展技术（JTE） | 第28-29页 |
| ·具有场板结构的 4H-SiC SBD 的设计与仿真分析 | 第29-32页 |
| ·具有场限环结构的 4H-SiC SBD 的设计与仿真分析 | 第32-37页 |
| ·挖槽结构的 4H-SiC SBD 的设计与仿真分析 | 第37-45页 |
| ·场氧化层厚度对击穿电压的影响 | 第38-39页 |
| ·碳化硅槽宽、槽深及槽宽比例对击穿电压的影响 | 第39-45页 |
| ·碳化硅槽宽及槽深对 SBD 击穿电压的影响 | 第39-42页 |
| ·碳化硅槽宽及槽宽比例对 SBD 击穿电压的影响 | 第42-43页 |
| ·碳化硅槽宽及槽深对 SBD 正向压降的影响 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 4H-SiC SBD 工艺实验研究 | 第46-74页 |
| ·碳化硅器件的工艺概述 | 第46-49页 |
| ·碳化硅的氧化 | 第46-47页 |
| ·碳化硅的肖特基和欧姆接触 | 第47-49页 |
| ·肖特基接触的形成 | 第47-48页 |
| ·欧姆接触的形成 | 第48-49页 |
| ·欧姆接触的研究 | 第49-58页 |
| ·实验过程 | 第50-55页 |
| ·实验结果分析 | 第55-58页 |
| ·碳化硅热氧化后退火的研究 | 第58-61页 |
| ·实验过程 | 第58-59页 |
| ·实验结果和分析讨论 | 第59-61页 |
| ·椭圆偏振测量结果及分析 | 第59-61页 |
| ·原子力显微镜（AFM）测试结果及分析 | 第61页 |
| ·氧化层的湿法腐蚀 | 第61-63页 |
| ·4H-SiC SBD 的制备及结果分析 | 第63-72页 |
| ·4H-SiC SBD 的制备 | 第63-67页 |
| ·结果分析与讨论 | 第67-72页 |
| ·干氧氧化样片实验和结果分析 | 第67-70页 |
| ·湿氧氧化样片和 PECVD 样片实验和结果分析 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 总结 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
