| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·研究背景及意义 | 第11-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-16页 |
| 第二章 InAs/GaAs量子点应变自组织外延生长理论及实验中的关键技术 | 第16-27页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·热力学解释 | 第16-17页 |
| ·动力学解释 | 第17-19页 |
| ·自组织InAs/GaAs量子点的生长 | 第19-21页 |
| ·临界厚度的影响因素 | 第19-20页 |
| ·量子点的面密度 | 第20页 |
| ·In、Ga互混效应 | 第20-21页 |
| ·实验关键技术 | 第21-24页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积技术(MOCVD) | 第21-22页 |
| ·测试手段 | 第22-24页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第22-23页 |
| ·X射线双晶衍射 | 第23-24页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 MOCVD低速生长单层InAs/GaAs量子点 | 第27-49页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·样品制备 | 第27-28页 |
| ·MOCVD生长速率的标定 | 第28-30页 |
| ·非低速生长量子点的实验研究 | 第30-33页 |
| ·生长暂停的影响 | 第33-35页 |
| ·InAs量子点的沉积速率的影响 | 第35-37页 |
| ·InAs量子点的沉积厚度的影响 | 第37-41页 |
| ·InAs量子点的Ⅴ/Ⅲ比的影响 | 第41-42页 |
| ·overgrowth层的生长速率的影响 | 第42-45页 |
| ·高质量的单层量子点的制备 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 多层量子点的生长实验 | 第49-59页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·多层量子点制备中的关键因素 | 第49-51页 |
| ·多层量子点的实验探索 | 第51-54页 |
| ·插入GaAsP应变减少层 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63页 |