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新型高磁电阻效应Fe3O4基半金属材料的理论研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
1 绪论第10-20页
   ·研究背景第10-12页
     ·自旋电子学的发展第10-11页
     ·磁电阻效应第11-12页
   ·半金属材料第12-16页
     ·自旋极化率第12页
     ·半金属材料的研究现状第12-16页
   ·Fe_3O_4基半金属材料及其研究现状第16-17页
     ·Fe_3O_4的物理性能第16页
     ·Fe_3O_4半金属性的改良第16-17页
   ·课题研究的意义及内容第17-20页
     ·课题研究意义第17-18页
     ·本课题主要研究的内容第18-20页
2 计算原理及方法第20-33页
   ·第一性原理计算基本思想第20-21页
   ·第一性原理中常用的近似方法第21-23页
     ·绝热近似第21-22页
     ·Hartree-Fork近似第22-23页
   ·密度泛函理论第23-26页
     ·Hohenberg-Kohn定理第24页
     ·Kohn-Sham方程第24-25页
     ·交换关联相互势近似第25-26页
   ·密度泛函理论的计算方法第26-29页
     ·赝势法第26-29页
     ·投影缀加平面波(PAW)方法第29页
   ·自洽场(self-consistent field,SCF)计算第29-30页
   ·物理模型及计算方法第30-32页
     ·物理模型第30-31页
     ·计算方法第31-32页
     ·计算方法验证第32页
   ·本章小结第32-33页
3 非磁性过渡金属掺杂Fe_3O_4体系的半金属性第33-43页
   ·引言第33页
   ·3d过渡元素掺杂Fe_3O_4基半金属的电磁性能第33-36页
     ·V掺杂对Fe_3O_4电磁性能的影响第33-35页
     ·半金属材料MFe_2O_4(M=Fe,Mn,Cr,V,Ti,Sc)的电磁性能第35-36页
   ·5d过渡族金属掺杂体系:MFe_2O_4(M=Hf, Ta,W,Re)第36-42页
     ·电子结构第36-38页
     ·体系晶胞及原子结构第38-40页
     ·分子及原子磁性第40-41页
     ·晶格畸变条件下的半金属性第41-42页
   ·本章小结第42-43页
4 含稀土元素Fe_3O_4基半金属材料的电磁性能第43-55页
   ·引言第43页
   ·半金属材料AcFe_2O_4和FeAc_2O_4第43-46页
     ·AcFe_2O_4和FeAc_2O_4的原子结构第43-44页
     ·AcFe_2O_4的电子结构及磁性第44-46页
   ·半金属材料ThFe_2O_4第46-49页
     ·ThFe_2O_4的态密度图第46-48页
     ·ThFe_2O_4原子Mulliken布局第48页
     ·AcFe_2O_4和ThFe_2O_4晶格畸变下的半金属性第48-49页
   ·含4f轨道电子Ce掺杂Fe_3O_4体系第49-54页
     ·Ce掺杂Fe_3O_4体系的半金属材料第49-51页
     ·Ce掺杂效应与d过渡族元素的区别第51-53页
     ·晶格畸变下CeFe_2O_4和FeCe_2O_4的半金属性第53-54页
   ·本章小结第54-55页
5 F/3d M共掺杂Fe_3O_4体系的半金属材料第55-67页
   ·引言第55-56页
   ·半金属材料MnFe_2F_4的电磁性能第56-60页
     ·电子结构及磁性第56-59页
     ·晶格畸变条件下半金属性第59-60页
   ·CrFe_2F_4的电磁性能第60页
   ·半金属材料VFe_2F_4的电磁性能第60-64页
     ·电子结构及导电性第61-62页
     ·半金属性对晶格畸变的敏感度第62-64页
   ·半金属材料TiFe_2F_4和ScFe_2F_4的电磁性能第64-65页
     ·TiFe_2F_4和ScFe_2F_4的半金属性第64-65页
     ·MFe_2F_4(M=V,Ti,Sc)的磁性第65页
   ·本章小结第65-67页
结论第67-69页
参考文献第69-72页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第72-73页
致谢第73-74页

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