| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·量子级联激光器 | 第9-11页 |
| ·量子级联激光器 | 第9页 |
| ·量子级联激光器的发展 | 第9-10页 |
| ·量子级联激光器的应用 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN 材料量子级联激光器 | 第11页 |
| ·AlGaN/GaN 材料的性质 | 第11页 |
| ·AlGaN/GaN 材料量子级联激光器 | 第11页 |
| ·太赫兹波 | 第11-12页 |
| ·课题研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 AlGaN/GaN 量子阱能量本征态及波函数的预测 | 第14-18页 |
| ·量子阱中导带电子子能级的一维薛定谔方程 | 第14-15页 |
| ·有效质量一维薛定谔方程 | 第14页 |
| ·AlGaN/GaN 材料的极化效应 | 第14-15页 |
| ·应用 Matlab 模拟分析 | 第15-17页 |
| ·小结 | 第17-18页 |
| 第3章 AlGaN/GaN 量子级联激光器有源区的设计 | 第18-47页 |
| ·AlGaN/GaN 量子级联激光器有源区的实现 | 第18-19页 |
| ·粒子数反转 | 第18页 |
| ·近共振条件 | 第18-19页 |
| ·AlGaN/GaN 量子级联激光器三能级系统满足的近共振条件 | 第19页 |
| ·AlGaN/GaN 量子级联激光器四能级系统满足的近共振条件 | 第19页 |
| ·影响 AlGaN/GaN 量子级联激光器性能的因素 | 第19-20页 |
| ·垒层 Al 组分 | 第19-20页 |
| ·外加电场 | 第20页 |
| ·垒层及阱层厚度 | 第20页 |
| ·生产误差 | 第20页 |
| ·三能级 AlGaN/GaN 量子级联激光器有源区的设计 | 第20-35页 |
| ·垒层 Al 组分对激光器性能影响的分析 | 第20-23页 |
| ·外加电场对激光器性能的影响 | 第23-24页 |
| ·整个结构对激光器性能的影响 | 第24-30页 |
| ·生产误差对激光器性能的影响 | 第30-33页 |
| ·设计三能级 AlGaN/GaN 量子级联激光器的有源区 | 第33-35页 |
| ·四能级 AlGaN/GaN 量子级联激光器有源区的设计 | 第35-45页 |
| ·垒层 Al 组分对激光器性能影响的分析 | 第35-38页 |
| ·外加电场对激光器性能的影响 | 第38-39页 |
| ·整个结构对激光器性能的影响 | 第39-43页 |
| ·生产误差对激光器性能的影响 | 第43-45页 |
| ·设计四能级 AlGaN/GaN 量子级联激光器的有源区 | 第45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 结论与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文与申请发明专利 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
