SiCl4前驱体生长高纯石英晶体的工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| ·研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| ·石英晶体性质及研究现状 | 第9-13页 |
| ·石英晶体的结构 | 第9-10页 |
| ·石英晶体的物理化学性质 | 第10页 |
| ·高纯石英砂的研究现状 | 第10-11页 |
| ·水热法制备石英晶体的研究进展 | 第11-13页 |
| ·SICL_4的性质及水解 | 第13-15页 |
| ·SiCl_4性质的简介 | 第13页 |
| ·SiCl_4的水解 | 第13-14页 |
| ·SiCl_4的应用现状 | 第14-15页 |
| ·水热法晶体生长研究 | 第15-17页 |
| ·水热法晶体生长的特点 | 第15页 |
| ·水热法晶体生长技术 | 第15-16页 |
| ·水热法晶粒制备技术简介 | 第16-17页 |
| ·研究内容及方案 | 第17-20页 |
| ·研究内容 | 第17-18页 |
| ·实验方案和技术路线 | 第18-20页 |
| ·实验原料和表征 | 第20-22页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第20页 |
| ·表征及性能测试 | 第20-22页 |
| 第2章 水热法生长石英晶体的实验研究 | 第22-31页 |
| ·前驱体的制备及性能表征 | 第22-25页 |
| ·前驱体的制备 | 第22-23页 |
| ·前驱体的性能表征 | 第23-25页 |
| ·XRD分析 | 第23页 |
| ·SEM分析 | 第23-24页 |
| ·EDS分析 | 第24-25页 |
| ·FTIR分析 | 第25页 |
| ·SiCl_4前驱体生长石英晶体实验研究 | 第25-28页 |
| ·SiCl_4前驱体合成石英晶体过程 | 第25-26页 |
| ·XRD和SEM分析 | 第26页 |
| ·EDS和FTIR分析 | 第26-28页 |
| ·矿化剂的选择 | 第28-29页 |
| ·XRD分析 | 第28页 |
| ·SEM分析 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 温度对石英晶体生长的影响 | 第31-41页 |
| ·水热反应温度与压力之间的关系 | 第31-33页 |
| ·反应温度对石英晶体生长的影响 | 第33-38页 |
| ·XRD分析 | 第34-36页 |
| ·SEM分析 | 第36-38页 |
| ·温度对石英晶体生长速率的影响 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 浓度和pH值对石英晶体生长的影响 | 第41-48页 |
| ·浓度对石英晶体生长的影响 | 第41-44页 |
| ·XRD分析 | 第41-42页 |
| ·SEM分析 | 第42-44页 |
| ·pH值对石英晶体生长的影响 | 第44-47页 |
| ·pH值对SiO_2解度的影响 | 第44-45页 |
| ·XRD分析 | 第45-46页 |
| ·SEM分析 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 石英晶体的相变过程研究 | 第48-53页 |
| ·石英相变理论及现状 | 第48-49页 |
| ·合成高纯石英的相变研究 | 第49-52页 |
| ·石英煅烧后的XRD分析 | 第49-51页 |
| ·石英煅烧后的SEM分析 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第6章 结论与展望 | 第53-55页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·实验的创新点 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54页 |
| ·存在的问题 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第59页 |
