| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·国内外位错动力学数值模拟研究现状及分析 | 第9-10页 |
| ·分子动力学模拟及第一性原理简介 | 第10-12页 |
| ·硅材料体系中的位错简介 | 第12-21页 |
| ·滑动面内的全位错 | 第13-15页 |
| ·拖动面内的60 度全位错 | 第15-16页 |
| ·滑动面内的30 度肖克莱位错 | 第16-18页 |
| ·滑动面内90 度肖克莱位错 | 第18-19页 |
| ·拖动面内的肖克莱位错 | 第19-21页 |
| ·本文的研究内容及主要工作 | 第21-22页 |
| 第2章 第一性原理方法的介绍 | 第22-35页 |
| ·前言 | 第22-23页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第23-34页 |
| ·Born-Oppenheimer绝热近似 | 第23-24页 |
| ·密度泛函理论 | 第24-32页 |
| ·电子结构计算的一般过程 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 硅材料空位模型的建立与模拟 | 第35-42页 |
| ·前言 | 第35页 |
| ·模型构建及模拟过程 | 第35-40页 |
| ·周期性边界条件 | 第35-36页 |
| ·Si单晶模型的建立与模拟过程 | 第36页 |
| ·赝原子轨道基与Si原子晶格常数对模型能量的影响 | 第36-39页 |
| ·用第一性原理计算Si的空位缺陷 | 第39-40页 |
| ·硅单空位周围硅离子的弛豫 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 Si晶体中位错模型的建立与模拟 | 第42-59页 |
| ·前言 | 第42页 |
| ·位错模型的边界条件 | 第42-44页 |
| ·理论研究方法 | 第44-46页 |
| ·弹性应变能量 | 第44-45页 |
| ·位错芯能量计算 | 第45-46页 |
| ·Si晶体中的位错芯模型建立 | 第46-54页 |
| ·拖动面内的60 度位错的位错芯模型建立 | 第46-48页 |
| ·滑移面的60 度位错的位错芯模型建立 | 第48-50页 |
| ·滑移面的30 度位错的位错芯模型建立 | 第50-52页 |
| ·滑移面的90 度位错的位错芯模型建立 | 第52-53页 |
| ·拖动面内的30 度位错和90 度位错的位错芯模型建立 | 第53-54页 |
| ·Si晶体中位错芯模型的第一性原理计算 | 第54-56页 |
| ·第一性原理计算中模拟参数的设定 | 第54-55页 |
| ·计算结果 | 第55-56页 |
| ·位错芯形成能的计算和分析 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |