| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| §1.1 引言 | 第9页 |
| §1.2 国内外相关领域的研究发展 | 第9-11页 |
| §1.3 MOSFET SPICE建模意义 | 第11-12页 |
| §1.4 本文的工作 | 第12-13页 |
| 第二章 MOS器件物理与制造工艺 | 第13-31页 |
| §2.1 影响阈值电压的小尺寸效应 | 第13-20页 |
| §2.1.1 长宽沟、衬底均匀掺杂MOS器件的阈值电压模型 | 第13-14页 |
| §2.1.2 短沟效应 | 第14-18页 |
| §2.1.3 窄沟效应 | 第18-19页 |
| §2.1.4 小尺寸效应 | 第19-20页 |
| §2.2 穿通效应 | 第20-21页 |
| §2.3 热载流子效应 | 第21-23页 |
| §2.4 MOS集成电路的基本制造工艺 | 第23-28页 |
| §2.4.1 CMOS集成电路工艺 | 第24-25页 |
| §2.4.2 CMOS集成电路的工艺及其元器件形成过程 | 第25-26页 |
| §2.4.3 N阱硅栅CMOS工艺 | 第26-28页 |
| §2.5 CMOS主要制造工序 | 第28-31页 |
| 第三章 非均匀掺杂衬底MOSFET模型 | 第31-56页 |
| §3.1 数值法求解微分方程的介绍 | 第31-33页 |
| §3.2 沟道耗尽层的近似解与精确解 | 第33-36页 |
| §3.3 长沟道MOST的阈值电压表达式 | 第36-38页 |
| §3.4 小尺寸MOST的阈值电压 | 第38-42页 |
| §3.5 普通非均匀MOST伏安特性 | 第42-48页 |
| §3.6 倒掺杂深亚微米MOSFET电学特性 | 第48-55页 |
| §3.7 结论 | 第55-56页 |
| 第四章 结束语 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第61页 |