| 中文摘要 | 第1-11页 |
| 英文摘要 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| ·时间相关单光子计数技术 | 第13-19页 |
| ·时间相关单光子计数技术原理 | 第13-15页 |
| ·时间相关单光子计数技术应用 | 第15-19页 |
| ·-1 荧光寿命和荧光光谱 | 第15-16页 |
| ·-2 激光测距 | 第16-17页 |
| ·-3 光时域反射仪 | 第17-19页 |
| ·量子信息 | 第19-21页 |
| ·量子计算 | 第19-20页 |
| ·量子密码 | 第20页 |
| ·单光子探测技术在量子信息中的作用 | 第20-21页 |
| ·单光子探测技术研究现状 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 红外单光子探测的原理和实现方法 | 第24-53页 |
| ·基于外光电效应的红外单光子探测 | 第24-30页 |
| ·外光电效应 | 第24-25页 |
| ·光电倍增管 | 第25-30页 |
| ·-1 工作原理 | 第25-26页 |
| ·-2 光谱特性 | 第26-28页 |
| ·-3 暗电流 | 第28-30页 |
| ·基于内光电效应的红外单光子探测 | 第30-41页 |
| ·内光电效应 | 第30-31页 |
| ·雪崩光电二极管物理 | 第31-36页 |
| ·-1 雪崩光电二极管(APD)的工作原理 | 第31页 |
| ·-2 雪崩光电二极管的特性参数 | 第31-33页 |
| ·-3 雪崩淬灭和雪崩光电二极管工作方式 | 第33-36页 |
| ·基于雪崩光电二极管的红外单光子探测 | 第36-41页 |
| ·-1 硅(Si)APD | 第36-37页 |
| ·-2 锗(Ge)APD | 第37-38页 |
| ·-3 InGaAs/InP APD | 第38页 |
| ·-4 InGaAs-Si APD | 第38-39页 |
| ·-5 InGaAs/InAlAs APD | 第39-41页 |
| ·基于超导特性的红外单光子探测 | 第41-46页 |
| ·基于超导临界相变的红外单光子探测 | 第41-43页 |
| ·基于超导临界电流密度的红外单光子探测 | 第43-46页 |
| ·基于频率转换的红外单光子探测 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 第三章 InGaAs/InP雪崩光电二极管与InGaAs/InP单光子探测器 | 第53-78页 |
| ·InGaAs/InP APD结构与工作方式 | 第53-57页 |
| ·InGaAs/InP APD结构 | 第53-56页 |
| ·InGaAs/InP APD工作方式 | 第56-57页 |
| ·尖峰噪声 | 第57-66页 |
| ·尖峰噪声的产生 | 第57-59页 |
| ·尖峰噪声的抑制技术 | 第59-66页 |
| ·-1 差分电路法 | 第59-60页 |
| ·-2 同轴电缆反射法 | 第60-61页 |
| ·-3 魔T混合网络法 | 第61-62页 |
| ·-4 高频变压器法 | 第62-63页 |
| ·-5 同步门电路法 | 第63-64页 |
| ·-6 负脉冲检测法 | 第64-65页 |
| ·-7 带阻滤波器法 | 第65-66页 |
| ·InGaAs/InP SPAD | 第66-70页 |
| ·InGaAs/InP SPAD结构 | 第66-67页 |
| ·几种典型的InGaAs/InP SPAD | 第67-70页 |
| ·-1 Heriot-Watt大学InGaAs/InP SPAD | 第67-68页 |
| ·-2 PLI InGaAs/InP SPAD | 第68-69页 |
| ·-3 Virginia大学InGaAs/InP SPAD | 第69-70页 |
| ·InGaAs/InP单光子探测器 | 第70-75页 |
| ·InGaAs/InP SPD结构 | 第70-71页 |
| ·InGaAs/InP SPD性能参数 | 第71-75页 |
| ·-1 暗计数率 | 第71-73页 |
| ·-2 单光子探测效率 | 第73-74页 |
| ·-3 最大计数率 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第四章 基于魔T混合网络的红外单光子探测系统 | 第78-93页 |
| ·魔T混合网络 | 第78-83页 |
| ·传输线变压器 | 第78-80页 |
| ·功率合成和分配网络 | 第80-83页 |
| ·-1 功率合成网络 | 第80-82页 |
| ·-2 功率分配网络 | 第82-83页 |
| ·魔T混合网络 | 第83页 |
| ·红外单光子探测系统 | 第83-85页 |
| ·尖峰噪声抑制电路 | 第84页 |
| ·系统装置 | 第84-85页 |
| ·红外单光子探测实验 | 第85-91页 |
| ·实验参数设定 | 第85-88页 |
| ·实验结果与分析 | 第88-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-93页 |
| 第五章 基于同轴电缆反射的红外单光子探测系统 | 第93-107页 |
| ·同轴电缆的电气模型 | 第93-96页 |
| ·分布参数电路 | 第93-94页 |
| ·同轴电缆的等效电路 | 第94-95页 |
| ·无损耗传输线的反射 | 第95-96页 |
| ·红外单光子探测系统 | 第96-102页 |
| ·尖峰噪声抑制电路 | 第96-97页 |
| ·系统装置 | 第97-98页 |
| ·红外单光子探测实验 | 第98-102页 |
| ·实用化的红外单光子探测器 | 第102-105页 |
| ·小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-107页 |
| 第六章 双APD串联的红外单光子探测系统 | 第107-116页 |
| ·双APD串联抑制尖峰噪声 | 第107-109页 |
| ·尖峰噪声抑制电路与原理 | 第107-108页 |
| ·尖峰噪声抑制结果 | 第108-109页 |
| ·红外单光子探测系统 | 第109-112页 |
| ·系统装置 | 第109-110页 |
| ·红外单光子探测实验 | 第110-112页 |
| ·理论分析 | 第112-114页 |
| ·小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-116页 |
| 第七章 总结和展望 | 第116-118页 |
| ·三种实验系统的比较 | 第116-117页 |
| ·展望 | 第117-118页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第118页 |
