高重频高压全固态浮动板调制器技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·国内外浮动板调制器发展动态 | 第10-11页 |
| ·本论文研究的主要目的及意义 | 第11-13页 |
| 第二章 固态浮动板调制器系统方案 | 第13-21页 |
| ·常用控制极调制的真空微波管的工作原理 | 第13-17页 |
| ·线性注管 | 第13-15页 |
| ·正交场器件 | 第15-16页 |
| ·控制电极的调制形式及特点 | 第16-17页 |
| ·固态浮动板调制器系统概述 | 第17-19页 |
| ·调制器技术指标 | 第19页 |
| ·调制器系统框图 | 第19-21页 |
| 第三章 MOSFET 器件的特性介绍 | 第21-27页 |
| ·功率MOSFET 器件的工作原理和基本结构 | 第21页 |
| ·场效应管的主要参数 | 第21-23页 |
| ·MOSFET 的工作特性 | 第23-24页 |
| ·MOSFET 器件的电子学动态过程 | 第24-27页 |
| 第四章 MOS 器件串联应用 | 第27-33页 |
| ·影响串联运行的因素 | 第27-28页 |
| ·静态伏安特性对静态均压的影响 | 第27-28页 |
| ·栅极电荷、输出电容和开通时间等对动态均压的影响 | 第28页 |
| ·寄生电容对动态均压的影响 | 第28页 |
| ·MOS 串联的静态均压 | 第28-30页 |
| ·静态均压措施 | 第28-30页 |
| ·MOS 串联的动态均压 | 第30-33页 |
| ·关断时的动态均压 | 第30-32页 |
| ·克服寄生电容影响动态均压的措施 | 第32-33页 |
| 第五章 调制器电路设计 | 第33-51页 |
| ·功率MOSFET 的驱动 | 第33-36页 |
| ·高重频脉冲变压器的设计 | 第36-38页 |
| ·过电流保护 | 第38-39页 |
| ·电源设计 | 第39-46页 |
| ·负偏电源 | 第39-45页 |
| ·正偏电源 | 第45-46页 |
| ·负载打火保护 | 第46-51页 |
| ·火花隙 | 第46-47页 |
| ·气体放电管等 | 第47页 |
| ·半导体放电管 | 第47页 |
| ·瞬变电压抑制二极管(Tvs) | 第47页 |
| ·压敏电阻器(MOV ) | 第47-51页 |
| 第六章 MOS 组件的散热技术 | 第51-60页 |
| ·散热原理 | 第51-54页 |
| ·散热方式 | 第51-52页 |
| ·稳态热路图与热阻 | 第52-53页 |
| ·瞬态热路图和瞬态热阻抗 | 第53-54页 |
| ·热阻和瞬态热阻抗在MOS 组件设计中的应用 | 第54页 |
| ·MOS 的功率损耗的计算 | 第54-57页 |
| ·通态与断态损耗 | 第57页 |
| ·散热措施及散热器的选配 | 第57-60页 |
| ·散热措施 | 第57-60页 |
| 第七章 试验结果及分析 | 第60-66页 |
| ·开关组件驱动试验 | 第60-61页 |
| ·高重频试验 | 第61-62页 |
| ·与多注速调管发射系统联调试验 | 第62-63页 |
| ·指标测试 | 第63-65页 |
| ·与系统联调情况 | 第65页 |
| ·测试仪表 | 第65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| 第八章 全文总结与后续工作展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
