| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| ·先驱体转化法制备SiC 纤维及SiC 陶瓷基复合材料的研究进展 | 第13-16页 |
| ·先驱体法制备SiC 纤维的研究进展 | 第13-15页 |
| ·先驱体法制备SiC 陶瓷基复合材料的研究进展 | 第15-16页 |
| ·聚碳硅烷（PCS）的研究进展 | 第16-22页 |
| ·PCS 的制备工艺研究 | 第16-19页 |
| ·PCS 的结构研究 | 第19-21页 |
| ·PCS 的分子结构研究 | 第19-20页 |
| ·PCS 在合成SiC 陶瓷材料转化过程中结构变化的研究 | 第20-21页 |
| ·PCS 分子量及分子量分布的研究 | 第21-22页 |
| ·PCS 的Mark-Houwink 常数的研究 | 第22页 |
| ·课题研究的背景、意义及主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验与表征 | 第24-35页 |
| ·实验所用仪器、原料和试剂 | 第24-25页 |
| ·PCS 的分级及绝对分子量的测定 | 第25-26页 |
| ·逐步沉淀分级 | 第25页 |
| ·色谱柱分级 | 第25页 |
| ·绝对分子量的测定 | 第25-26页 |
| ·PCS 的Mark-Houwink 常数K 和α的确定及分子量、分散系数的计算 | 第26-27页 |
| ·常数K 和α的确定 | 第26页 |
| ·由常数K 和α计算PCS 的分子量及分散系数 | 第26-27页 |
| ·各级分PCS 的结构研究 | 第27-33页 |
| ·各级分PCS 的化学结构分析 | 第27-28页 |
| ·Si 含量的测定 | 第27页 |
| ·C 含量的测定 | 第27页 |
| ·核磁共振的测定 | 第27页 |
| ·红外光谱的测定及结构单元吸光度－摩尔数工作曲线的制定 | 第27-28页 |
| ·各级分PCS 的非晶短程结构研究 | 第28-33页 |
| ·实验原理 | 第28-30页 |
| ·实验条件 | 第30-31页 |
| ·实验中的校正方法 | 第31-33页 |
| ·非晶结构RDF 分析流程 | 第33页 |
| ·预氧化和烧结实验样品的制备 | 第33-34页 |
| ·各级分PCS 预氧化过程的分析 | 第34页 |
| ·各级分PCS 烧结过程的分析 | 第34-35页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第35-67页 |
| ·PCS 分级方法的确定 | 第35-37页 |
| ·两种方法分离机理的比较 | 第35页 |
| ·两种方法对PCS 分级的比较 | 第35-36页 |
| ·色谱柱法分级时级分的选择 | 第36-37页 |
| ·PCS 的Mark-Houwink 常数K ，α的计算 | 第37-44页 |
| ·普适标定曲线的确定 | 第37-38页 |
| ·PCS 的Mark-Houwink 常数K 和α的计算 | 第38-41页 |
| ·PCS 的分子量及其分散系数的计算 | 第41-44页 |
| ·PCS-h 及各级分的结构分析 | 第44-56页 |
| ·C 含量的测定 | 第44-45页 |
| ·Si 含量的测定 | 第45页 |
| ·Si-H、Si-C 和Si-CH3 吸光度－摩尔数工作曲线的制定 | 第45-48页 |
| ·Si-CH3 工作曲线的制定 | 第45-47页 |
| ·Si-H 和Si-C 工作曲线的制定 | 第47-48页 |
| ·PCS-h 及各级分的结构分析 | 第48-51页 |
| ·PCS-h 及各级分的非晶短程有序结构研究 | 第51-56页 |
| ·PCS-h 及各级分的径向分布函数（RDF（r））的确定 | 第51-54页 |
| ·PCS-h 及各级分的结构参数 | 第54-56页 |
| ·预氧化和烧结实验样品的制备 | 第56-59页 |
| ·手工涂膜 | 第57页 |
| ·浸渍 | 第57-58页 |
| ·离心旋转 | 第58-59页 |
| ·PCS-h 及各级分的预氧化过程分析 | 第59-62页 |
| ·反应初始时反应速率的研究 | 第60-62页 |
| ·反应过程中的分析 | 第62页 |
| ·PCS-h 及各级分的烧结过程分析 | 第62-67页 |
| 第四章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 论文发表情况 | 第75页 |
