低功耗TLB设计关键技术研究
图目录 | 第1-8页 |
表目录 | 第8-9页 |
摘要 | 第9-10页 |
Abstract | 第10-12页 |
第1章 引言 | 第12-14页 |
§1.1 选题背景 | 第12页 |
§1.2 课题研究的内容、成果和意义 | 第12-13页 |
§1.3 本文的组织结构 | 第13-14页 |
第2章 TLB概述 | 第14-16页 |
§2.1 虚拟存储器基本原理 | 第14页 |
§2.2 TLB基本原理 | 第14-15页 |
§2.3 TLB设计的关键技术 | 第15页 |
§2.4 本章小节 | 第15-16页 |
第3章 TLB结构技术研究 | 第16-25页 |
§3.1 TLB结构概述 | 第16-19页 |
·TLB结构概述 | 第16-17页 |
·最新的几种TLB结构介绍 | 第17-19页 |
§3.2 低功耗预比较TLB结构 | 第19-24页 |
·提出背景 | 第19页 |
·思想 | 第19页 |
·预比较TLB结构 | 第19-20页 |
·运算模型 | 第20-21页 |
·所采用CAM结构 | 第21-22页 |
·参加比较的位单元数分析 | 第22-23页 |
·模拟 | 第23-24页 |
§3.3 本章小节 | 第24-25页 |
第4章 易扩展TLB_CAM的设计实现 | 第25-39页 |
§4.1 CAM概述 | 第25-27页 |
·CAM基本结构 | 第25页 |
·设计CAM规模及其接口信号 | 第25-26页 |
·设计整体思想 | 第26页 |
·工作时序 | 第26-27页 |
§4.2 CAM电路设计 | 第27-37页 |
·常用的CAM单元电路设计 | 第27-31页 |
·位单元电路设计 | 第31页 |
·字结构设计 | 第31-34页 |
·屏蔽电路设计 | 第34-35页 |
·译码单元电路设计 | 第35-36页 |
·其它电路设计 | 第36-37页 |
§4.3 电路模拟 | 第37-38页 |
§4.4 本章小节 | 第38-39页 |
第5章 一个简化的TLB设计实现 | 第39-46页 |
§5.1 TLB_SRAM的设计 | 第39-44页 |
·TLB_SRAM概述 | 第39-40页 |
·TLB_SRAM的电路设计 | 第40-44页 |
§5.2 TLB实现 | 第44-45页 |
·TLB_RAM字线产生电路 | 第44页 |
·TLB实现 | 第44-45页 |
§5.3 本章小节 | 第45-46页 |
第6章 测试 | 第46-58页 |
§6.1 测试验证方法概述 | 第46-47页 |
·常用测试验证方法概述 | 第46页 |
·TLB测试方法概述 | 第46-47页 |
§6.2 分级NOR结构CAM测试 | 第47-54页 |
·CAM投片相关 | 第47-48页 |
·CAM芯片测试 | 第48-51页 |
·分级NOR结构CAM模拟 | 第51-54页 |
§6.3 TLB模拟 | 第54-57页 |
·SRAM模拟 | 第54页 |
·TLB详细模拟 | 第54-56页 |
·TLB功耗分析 | 第56-57页 |
§6.4 本章小节 | 第57-58页 |
第7章 结束语 | 第58-59页 |
§7.1 全文工作总结 | 第58页 |
§7.2 未来工作展望 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-62页 |
附录1 攻读硕士期间发表的论文 | 第62-63页 |
附录2 译码单元输入组合表 | 第63-64页 |
附录3 CAM投片管脚名及其含义 | 第64-65页 |