| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第一章 文献评述 | 第12-52页 |
| 1．1 锡的物化性质及常见的锡化工产品 | 第12-15页 |
| 1．1．1 锡的物化性质 | 第12-13页 |
| 1．1．2 常见无机锡化合物及其用途 | 第13-15页 |
| 1．2 锡冶炼研究现状及进展 | 第15-30页 |
| 1．2．1 锡冶炼技术现状 | 第15-28页 |
| 1．2．2 锡冶炼技术及产业的发展方向 | 第28-30页 |
| 1．3 锡中间物料及含锡废料处理综述 | 第30-44页 |
| 1．3．1 常见的含锡二次资源 | 第30-31页 |
| 1．3．2 常见含锡二次资源的湿法处理综述 | 第31-44页 |
| 1．4 透明导电氧化物材料简介 | 第44-48页 |
| 1．4．1 代表性的TCO材料 | 第44-48页 |
| 1．4．2 ATO材料市场简介 | 第48页 |
| 1．5 纳米ATO粉体的制备 | 第48-50页 |
| 1．5．1 液相共沉淀法 | 第48-49页 |
| 1．5．2 溶胶-凝胶法 | 第49-50页 |
| 1．5．3 机械混合法 | 第50页 |
| 1．6 本研究的目的与意义 | 第50-52页 |
| 第二章 实验原料与工艺流程的研究 | 第52-56页 |
| 2．1 实验原料 | 第52页 |
| 2．2 实验流程的确定 | 第52-55页 |
| 2．3 主要研究内容及目的 | 第55-56页 |
| 2．3．1 理论研究 | 第55页 |
| 2．3．2 工艺研究 | 第55-56页 |
| 第三章 实验研究基本原理 | 第56-91页 |
| 3．1 锡阳极泥湿法处理原理 | 第56-59页 |
| 3．1．1 氧化酸浸过程 | 第56页 |
| 3．1．2 沉锡过程 | 第56页 |
| 3．1．3 氯锡酸铵精制过程 | 第56-57页 |
| 3．1．4 还原脱铜过程 | 第57页 |
| 3．1．5 水解提锑过程 | 第57-59页 |
| 3．1．6 氯氧锑精制过程 | 第59页 |
| 3．2 液相法制备ATO过程中团聚的产生与防止机理 | 第59-68页 |
| 3．2．1 纳米ATO粉体团聚的形成机理 | 第60-61页 |
| 3．2．2 制备纳米ATO时团聚形成的过程 | 第61-63页 |
| 3．2．3 纳米ATO颗粒的防团聚方法 | 第63-65页 |
| 3．2．4 干燥过程防团聚 | 第65-67页 |
| 3．2．5 煅烧过程防团聚 | 第67页 |
| 3．2．6 小结 | 第67-68页 |
| 3．3 ATO晶体的生成及长大机理 | 第68-75页 |
| 3．3．1 ATO晶体生成与长大热力学 | 第68-72页 |
| 3．3．2 ATO晶体生成与长大动力学 | 第72-73页 |
| 3．3．3 ATO晶体的生长形态 | 第73-75页 |
| 3．4 ATO前驱体的分散与表面处理 | 第75-81页 |
| 3．4．1 概述 | 第75-76页 |
| 3．4．2 双电层(静电)稳定机理 | 第76-78页 |
| 3．4．3 空间位阻稳定机理 | 第78-79页 |
| 3．4．4 静电位阻稳定机制 | 第79-80页 |
| 3．4．5 竭尽稳定机制 | 第80-81页 |
| 3．5 ATO导电原理 | 第81-84页 |
| 3．6 导电氧化物粉体性能评价 | 第84-91页 |
| 3．6．1 导电粉体晶粒性能的评价 | 第84-89页 |
| 3．6．2 导电微粉表面性能的评价 | 第89-91页 |
| 第四章 实验设计 | 第91-102页 |
| 4．1 试剂 | 第91页 |
| 4．2 实验研究方法 | 第91-96页 |
| 4．2．1 高纯氯锡酸铵和高纯氯氧化锑的制备 | 第91-94页 |
| 4．2．2 配合—共沉淀制ATO粉过程 | 第94-96页 |
| 4．2．3 配合—共沉淀法制备ATO超细粒子的工艺要点 | 第96页 |
| 4．3 实验装置 | 第96-98页 |
| 4．4 分析与检测试方法 | 第98-102页 |
| 4．4．1 化学分析 | 第98-99页 |
| 4．4．2 原子吸收分析 | 第99页 |
| 4．4．3 X射线衍射分析 | 第99页 |
| 4．4．4 热分析 | 第99-100页 |
| 4．4．5 电镜分析 | 第100页 |
| 4．4．6 ICP-AES检测 | 第100页 |
| 4．4．7 粉体电阻值的测量 | 第100-102页 |
| 第五章 (NH_4)_2SnCl_6和ATO制备过程的理论研究 | 第102-128页 |
| 5．1 SnCl_4-NH_4Cl-HCl-H_2O系热力学分析 | 第102-115页 |
| 5．1．1 前言 | 第102页 |
| 5．1．2 体系中存在的物种及其热力学平衡 | 第102-108页 |
| 5．1．3 结果与讨论 | 第108-112页 |
| 5．1．4 实验验证 | 第112-114页 |
| 5．1．5 小结 | 第114-115页 |
| 5．2 Sn(Ⅳ)-Sb(Ⅲ)-NH_3-NH_4Cl-H_2O体系热力学计算及结果分析 | 第115-124页 |
| 5．2．1 前言 | 第115页 |
| 5．2．2 Sn(Ⅳ)-Sb(Ⅲ)-NH_3-NH_4Cl-H_2O体系热力学分析 | 第115-121页 |
| 5．2．3 结果讨论 | 第121-123页 |
| 5．2．4 小结 | 第123-124页 |
| 5．3 ATO材料电导率理论上限的计算 | 第124-128页 |
| 5．3．1 替位式杂质对半导体材料导电性的影响机制 | 第124-125页 |
| 5．3．2 锑掺杂二氧化锡的晶体结构 | 第125-126页 |
| 5．3．3 理论电导率的计算 | 第126-127页 |
| 5．3．4 结论 | 第127-128页 |
| 第六章 由锡阳极泥制取高纯(NH_4)_2SnCl_6和Sb_4O_5Cl_2 | 第128-149页 |
| 6．1 引言 | 第128-143页 |
| 6．1．1 氧化酸浸过程 | 第128-135页 |
| 6．1．2 沉锡过程 | 第135-139页 |
| 6．1．3 粗氯锡酸铵的精制实验 | 第139-143页 |
| 6．2 高纯Sb_4O_5Cl_2的制取 | 第143-147页 |
| 6．2．1 沉锡后液的还原沉铜试验 | 第143-146页 |
| 6．2．2 还原沉铜后液制备高纯Sb_4O_5Cl_2试验 | 第146-147页 |
| 6．3 水解液沉锡 | 第147-148页 |
| 6．4 小结 | 第148-149页 |
| 第七章 配合—共沉淀法制备纳米ATO粉工艺研究 | 第149-174页 |
| 7．1 概述 | 第149-150页 |
| 7．2 配合—共沉淀法制备纳米ATO粉条件试验 | 第150-171页 |
| 7．2．1 pH值的影响 | 第150-154页 |
| 7．2．2 共沉淀温度的影响 | 第154-155页 |
| 7．2．3 前驱体洗涤次数对粉体性能的影响 | 第155-158页 |
| 7．2．4 掺杂锑浓度对粉末性能的影响 | 第158-163页 |
| 7．2．5 煅烧温度对粉末粒度相貌和电阻的影响 | 第163-167页 |
| 7．2．6 表面活性剂对粉末粒度与电阻的影响 | 第167-171页 |
| 7．3 综合条件试验 | 第171-172页 |
| 7．4 本章小结 | 第172-174页 |
| 第八章 结论与建议 | 第174-177页 |
| 8．1 结论 | 第174-176页 |
| 8．2 建议 | 第176-177页 |
| 参考文献 | 第177-185页 |
| 致谢 | 第185-186页 |
| 附录1：攻读博士学位期间所发表的论文及完成的项目 | 第186页 |
