| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| ·问题的提出 | 第8-9页 |
| ·论文的工作 | 第9-10页 |
| ·论文的结构 | 第10-11页 |
| 第二章 SRAM 存储电路结构和功能 | 第11-16页 |
| ·SRAM 存储电路基本结构 | 第11页 |
| ·SRAM 存储电路主要组成电路功能 | 第11-16页 |
| ·译码电路 | 第11-13页 |
| ·存储单元 | 第13页 |
| ·灵敏度放大器 | 第13-15页 |
| ·预充电电路 | 第15-16页 |
| 第三章 SRAM 电路的性能评估 | 第16-31页 |
| ·SRAM 电路性能评估参数 | 第16-17页 |
| ·SRAM 电路功耗的评估 | 第17-23页 |
| ·常用的功耗评估方法 | 第17-18页 |
| ·基于分析的功耗模型 | 第17-18页 |
| ·基于电路仿真的功耗模型 | 第18页 |
| ·电路分析和仿真结合的功耗模型 | 第18页 |
| ·基于分析和仿真模型下的功耗计算 | 第18-23页 |
| ·译码电路的功耗计算 | 第20-22页 |
| ·位线的功耗计算 | 第22-23页 |
| ·灵敏度放大器和输入输出电路的功耗计算 | 第23页 |
| ·SRAM 电路访问时间的评估 | 第23-24页 |
| ·SRAM 电路芯片面积的评估 | 第24-25页 |
| ·SRAM 性能评估模型的验证 | 第25-27页 |
| ·模型的检验与修正流程 | 第25-26页 |
| ·功耗模型的验证 | 第26页 |
| ·访问时间模型的验证 | 第26-27页 |
| ·面积模型的验证 | 第27页 |
| ·模型在电路设计中的应用 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 ARM720T 中SRAM 电路设计 | 第31-37页 |
| ·SRAM 电路设计方案 | 第31页 |
| ·译码电路的设计 | 第31-34页 |
| ·行译码电路 | 第31-33页 |
| ·列译码电路 | 第33-34页 |
| ·读控制电路的设计 | 第34-35页 |
| ·写控制电路的设计 | 第35-37页 |
| 第五章 SRAM 电路的性能改进方法 | 第37-49页 |
| ·低位线摆幅的低功耗SRAM 设计 | 第37-43页 |
| ·预充电电路设计 | 第37-39页 |
| ·位线功耗分析 | 第39-41页 |
| ·静态噪声容限（SNM）分析 | 第41-42页 |
| ·实验结果 | 第42-43页 |
| ·地址转换侦测（ATD）技术下的低功耗SRAM 设计 | 第43-47页 |
| ·ATD 技术对写功耗的影响 | 第43-44页 |
| ·采用ATD 技术的电路设计 | 第44-46页 |
| ·实验结果 | 第46-47页 |
| ·不同工艺对电路性能的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 总结和展望 | 第49-51页 |
| 总结 | 第49-50页 |
| 展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 研究生期间论文发表 | 第54页 |