高速低耗BICMOS存贮器（Memory）的设计与仿真研究
| 第1章 绪论 | 第1-15页 |
| ·BiCMOS技术的研究进展 | 第9-12页 |
| ·半导体存储器的现状及其发展趋势 | 第12-13页 |
| ·论文研究的意义 | 第13-14页 |
| ·本文研究的主要内容及章节安排 | 第14-15页 |
| 第2章 BiCMOS技术及其应用 | 第15-26页 |
| ·BiCMOS的结构模型 | 第15-17页 |
| ·BiCMOS工艺结构模型 | 第15-17页 |
| ·BiCMOS电路结构模型 | 第17页 |
| ·CMOS／BiCMOS电路主要性能比较 | 第17-19页 |
| ·负载能力及延迟时间 | 第17-18页 |
| ·集成度及功耗 | 第18-19页 |
| ·BiCMOS数字逻辑门电路设计 | 第19-25页 |
| ·BiCMOS反相器设计 | 第19-21页 |
| ·CMOS反相器 | 第19页 |
| ·BiCMOS反相器 | 第19-21页 |
| ·BiCMOS与非门 | 第21-22页 |
| ·全摆幅BiCMOS逻辑门设计 | 第22-25页 |
| ·利用分流网络实现全摆幅输出 | 第22-23页 |
| ·利用瞬间饱和技术全摆幅输出 | 第23-24页 |
| ·高性能互补耦合BiCMOS电路 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 BiCMOS静态存储器的设计方案 | 第26-76页 |
| ·存储器分类及其主要性能指标 | 第26-27页 |
| ·存储器的主要性能指标 | 第27-28页 |
| ·静态随机读写存储器(SRAM) | 第28-31页 |
| ·静态存储器的构造和约定 | 第28-30页 |
| ·列读／写电路 | 第30-31页 |
| ·存储矩阵、存储体、存储位元 | 第31-39页 |
| ·BJT存储位元 | 第32-35页 |
| ·CMOS存储位元 | 第35-38页 |
| ·BiCMOS存储位元 | 第38-39页 |
| ·BiCMOS低摆幅译码器 | 第39-58页 |
| ·双极型译码器功耗问题 | 第40-41页 |
| ·二极管-三极管(DTL)译码器超前译码方式 | 第41-42页 |
| ·带有开关PMOS负载管的二极管译码器 | 第42-48页 |
| ·基本运行模式 | 第43页 |
| ·开关PMOS负载管的设计考虑 | 第43-46页 |
| ·地址线共享 | 第46-47页 |
| ·本节结论 | 第47-48页 |
| ·脉冲二极管译码器 | 第48-54页 |
| ·基本运行模式 | 第49-50页 |
| ·容性脉冲二极管译码器 | 第50-52页 |
| ·NMOS电容二极管译码器 | 第52-54页 |
| ·字线ECL-CMOS电平转换器 | 第54-58页 |
| ·低功率字线电平转换器 | 第55-56页 |
| ·脉冲字线中的释放电 | 第56-58页 |
| ·CSEA存储器中灵敏放大器及其写技术 | 第58-76页 |
| ·CSEA基础知识 | 第58-60页 |
| ·单端位线灵敏放大器 | 第60-67页 |
| ·简化的灵敏放大器 | 第61-63页 |
| ·发射极的影响和字线的阻抗 | 第63-64页 |
| ·电源噪声的相关数据 | 第64-67页 |
| ·位线的参考设计 | 第67页 |
| ·二级串级(共基—共发射极放大器)灵敏放大器 | 第67-72页 |
| ·灵敏放大器参数的设计 | 第68-69页 |
| ·二级串级网络 | 第69-70页 |
| ·串级参数设计 | 第70-72页 |
| ·CSEA写技术 | 第72-76页 |
| ·单端口对不同位元的写问题 | 第72-73页 |
| ·局部字线识别(qualification) | 第73-74页 |
| ·本小节结论 | 第74-76页 |
| 第4章 BJT与MOS器件模型参数的选取 | 第76-80页 |
| ·分析与选取双极型管模型参数 | 第76-79页 |
| ·影响模拟电路延时性能的BJT主要参数分析 | 第76-78页 |
| ·影响数字电路延时性能的BJT主要参数分析 | 第78-79页 |
| ·BJT主要参数的选取 | 第79页 |
| ·MOS管主要模型参数的选取 | 第79-80页 |
| 第5章 BiCMOS工艺设计 | 第80-84页 |
| ·BiCOMS器件结构及其参数 | 第80页 |
| ·BiCMOS SRAM工艺流程中的几项制作技术 | 第80-84页 |
| ·整体工艺流程 | 第80-81页 |
| ·双阱CMOS工艺技术要点 | 第81页 |
| ·MOS器件衬底偏置要点 | 第81页 |
| ·BiCMOS工艺上的特殊考虑 | 第81-82页 |
| ·0.8μm BiCMOS工艺特征和器件结构 | 第82-84页 |
| 第6章 IM BiCMOS静态存储器的设计 | 第84-87页 |
| ·设计方案 | 第84-85页 |
| ·译码器设计 | 第84页 |
| ·存储体的设计 | 第84-85页 |
| ·读／写控制电路 | 第85页 |
| ·工作原理 | 第85-87页 |
| ·SRAM原理图 | 第85-86页 |
| ·工作原理 | 第86-87页 |
| 第7章 BiCMOS SRAM的仿真及功能验证 | 第87-93页 |
| ·仿真工具的选择 | 第87页 |
| ·基本单元电路的功能仿真 | 第87-90页 |
| ·全电路仿真 | 第90-93页 |
| 第8章 结论与展望 | 第93-96页 |
| ·论文工作总结 | 第93页 |
| ·结论与讨论 | 第93-95页 |
| ·展望 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
| 本文作者硕士生期间参加科研及论文发表情况 | 第100页 |
