| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| ·干涉型光纤陀螺的工作原理 | 第8-9页 |
| ·利用质子交换法制备陀螺芯片的优越性 | 第9-11页 |
| ·光纤陀螺的系统偏振误差 | 第9-10页 |
| ·利用质子交换法制备陀螺芯片克服偏振误差 | 第10-11页 |
| ·退火质子交换工艺的国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·本课题的主要工作、创新与研究意义 | 第12-13页 |
| 第二章 Y分支波导相位调制器 | 第13-26页 |
| ·“传播常数最接近”原则 | 第13-14页 |
| ·直接转向型对称Y分支波导 | 第14页 |
| ·S型弯曲对称Y分支波导 | 第14-16页 |
| ·S型弯曲对称Y分支结构分析 | 第14-16页 |
| ·S型弯曲对称Y分支与直接转向型Y分支结构的比较 | 第16页 |
| ·波导模式传输分析方法 | 第16-20页 |
| ·马卡蒂里近似法 | 第17-19页 |
| ·有效折射率法 | 第19-20页 |
| ·调制电极设计 | 第20-25页 |
| ·电光效应与晶体切向和传播方向的选择 | 第20-22页 |
| ·调制带宽 | 第22-24页 |
| ·半波电压 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 退火质子交换过程的机理 | 第26-38页 |
| ·质子交换与退火的概念 | 第26-28页 |
| ·质子交换 | 第26-27页 |
| ·退火 | 第27-28页 |
| ·单纯质子交换波导 | 第28-29页 |
| ·质子浓度分布 | 第28页 |
| ·质子交换深度 | 第28-29页 |
| ·退火质子交换波导 | 第29-30页 |
| ·质子浓度分布 | 第29页 |
| ·退火深度 | 第29-30页 |
| ·退火质子交换LiNbO_3波导的各个参数之间的关系 | 第30页 |
| ·退火质子交换波导的物理机制 | 第30-35页 |
| ·退火质子交换波导的晶相 | 第30-32页 |
| ·退火质子交换波导的红外光谱学特征 | 第32-34页 |
| ·退火质子交换光波导的传输损耗 | 第34-35页 |
| ·退火对于恢复铌酸锂晶体电光系数的作用 | 第35-36页 |
| ·采用缓冲质子源的质子交换 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章铌酸锂波导的制备工艺 | 第38-50页 |
| ·铌酸锂晶体的性质 | 第38-40页 |
| ·钛扩散法 | 第40-42页 |
| ·钛扩散法的原理 | 第40页 |
| ·钛扩散条形光波导制备工艺过程 | 第40-42页 |
| ·退火质子交换法 | 第42-48页 |
| ·退火质子交换法制备条形光波导的工艺流程 | 第42-43页 |
| ·清洗基片 | 第43页 |
| ·镀铝 | 第43-44页 |
| ·匀胶 | 第44-45页 |
| ·光刻 | 第45-46页 |
| ·腐蚀 | 第46页 |
| ·质子交换 | 第46-47页 |
| ·退火 | 第47-48页 |
| ·退火质子交换法与钛扩散法的比较 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章制备光纤陀螺芯片的实验 | 第50-60页 |
| ·基片的准备 | 第50页 |
| ·镀铝 | 第50页 |
| ·匀胶与曝光 | 第50-51页 |
| ·显影与腐蚀 | 第51-53页 |
| ·质子交换与退火 | 第53-55页 |
| ·端面研磨、抛光 | 第55页 |
| ·通光测试 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章工艺改进与总结 | 第60-63页 |
| ·工艺改进方案 | 第60-61页 |
| ·本文总结 | 第61-62页 |
| ·工作展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |