| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| §1.1 半导体激光器的发展 | 第7-8页 |
| §1.2 InGaAs／GaAs材料的半导体激光器的发展 | 第8-10页 |
| §1.3 InGaAs应变量子阱结构的特性 | 第10-12页 |
| §1.4 MBE在激光器制备方面的突出作用 | 第12页 |
| §1.5 本论文研究的主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 InGaAs／GaAs应变量子阱材料的生长设备及测试仪器 | 第14-24页 |
| §2.1 V80H型分子束外延生长设备 | 第14-21页 |
| §2.1.1 MBE设备的结构 | 第15-16页 |
| §2.1.2 真空系统 | 第16-17页 |
| §2.1.3 努森池(K-cell)与坩埚 | 第17-20页 |
| §2.1.4 衬底加热器 | 第20-21页 |
| §2.2 V80HMBE设备上的测量装置 | 第21-23页 |
| §2.2.1 离子规 | 第21-22页 |
| §2.2.2 四极质谱仪 | 第22页 |
| §2.2.3 反射式高能电子衍射仪(RHEED) | 第22-23页 |
| §2.3 其他的分析设备 | 第23-24页 |
| 第三章 典型InGaAs应变量子阱半导体激光器的结构设计 | 第24-35页 |
| §3.1 InGaAs应变量子阱激光器有源层中In组分和势阱及势垒的度设计 | 第24-29页 |
| §3.2 波导结构的设计 | 第29-31页 |
| §3.2.1.厚度的影响 | 第31页 |
| §3.2.2 波导形状的影响 | 第31页 |
| §3.3 限制层的优化设计 | 第31-34页 |
| §3.3.1 组分的设计 | 第31-32页 |
| §3.3.2 最佳厚度的优化设计 | 第32-34页 |
| §3.4 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 长波长高应变InGaAs／GaAs量子阱材料及器件的制备 | 第35-48页 |
| §4.1 制备长波长高应变InGaAs／GaAs量子阱激光器的必要性 | 第35页 |
| §4.2 长波长高应变InGaAs／GaAs量子阱激光器临界厚度的确定 | 第35-38页 |
| §4.3 生长参数的优化 | 第38-40页 |
| §4.4 高应变量子阱激光器的制备 | 第40-45页 |
| §4.5 器件的性能测试 | 第45-47页 |
| §4.6 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 后工艺中腔面镀膜工艺的优化 | 第48-55页 |
| §5.1 腔面镀膜的作用 | 第48页 |
| §5.2 膜系的设计与分析 | 第48-50页 |
| §5.2.1 高反膜设计 | 第48-49页 |
| §5.2.2 减反射膜设计 | 第49-50页 |
| §5.3 夹具的设计 | 第50-52页 |
| §5.3.1 传统镀膜夹具的缺陷 | 第50-51页 |
| §5.3.2 新型镀膜夹具的设计思想及结构 | 第51-52页 |
| §5.3.3 新型夹具的优点 | 第52页 |
| §5.4 实验 | 第52-53页 |
| §5.5 实验结果与数据 | 第53页 |
| §5.5.1 镀值增透膜的实验结果 | 第53页 |
| §5.5.2 输出功率的比较 | 第53页 |
| §5.6 小结 | 第53-55页 |
| 第六章 结论及展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 已发表文章 | 第61页 |
