中文摘要 | 第1-6页 |
英文摘要 | 第6-11页 |
1 绪论 | 第11-25页 |
1.1 有机电致发光器件的研究进展 | 第11-20页 |
1.1.1 有机电致发光和无机电致发光 | 第11-12页 |
1.1.2 有机电致发光材料的研究状况 | 第12-17页 |
1.1.3 有机电致发光器件的电极和载流子传输材料 | 第17-19页 |
1.1.4 有机电致发光器件结构的设计 | 第19-20页 |
1.2 有机电致发光的应用前景 | 第20-21页 |
1.3 有机电致发光器件研制急需解决的问题 | 第21-23页 |
1.3.1 多彩色器件 | 第21-22页 |
1.3.2 进一步提高效率 | 第22页 |
1.3.3 提高器件稳定性及工作寿命 | 第22-23页 |
1.4 本文研究内容、创新点和意义 | 第23-25页 |
2 有机半导体LPPP的光学性质研究 | 第25-29页 |
2.1 梯形对次苯基聚合物(LPPP) | 第25页 |
2.2 LPPP的合成 | 第25-26页 |
2.3 LPPP的光学性质 | 第26-28页 |
2.3.1 LPPP薄膜的制备 | 第26-27页 |
2.3.2 LPPP的光学性质 | 第27-28页 |
2.4 小结 | 第28-29页 |
3 有机半导体LPPP电致发光器件的理论分析 | 第29-55页 |
3.1 有机电致发光基本理论 | 第29-31页 |
3.1.1 LPPP电致发光机理 | 第29-30页 |
3.1.2 有机电致发光与无机电致发光机理的区别 | 第30-31页 |
3.2 有机电致发光器件结构 | 第31-33页 |
3.2.1 器件基本结构 | 第31-32页 |
3.2.2 微腔结构研究概况 | 第32-33页 |
3.3 光学微腔的基本原理 | 第33-37页 |
3.3.1 自由空间中的有效模式密度 | 第33-34页 |
3.3.2 Fabry-Perot微腔中有效模式密度 | 第34-37页 |
3.4 LPPP电致发光中的微腔效应 | 第37-47页 |
3.4.1 LPPP单层无腔结构的发光性质 | 第37-39页 |
3.4.2 LPPP单层微腔发光性质 | 第39-42页 |
3.4.3 增强型LPPP/Alq异质结发光性质 | 第42-45页 |
3.4.4 微腔结构光发射的方向性 | 第45-46页 |
3.4.5 微腔结构中的光传播 | 第46-47页 |
3.5 增强型LPPP/Alq异质结结构分析 | 第47-54页 |
3.5.1 LPPP发光器中的异质结 | 第47-49页 |
3.5.2 LPPP发光器中的电极 | 第49-52页 |
3.5.3 膜层厚度对LPPP器件性能的影响 | 第52-54页 |
3.6 小结 | 第54-55页 |
4 有机电致发光器件的发光寿命及稳定性 | 第55-62页 |
4.1 LPPP发光薄膜对器件稳定性的改善 | 第55-58页 |
4.1.1 薄膜对器件稳定性的影响 | 第55-56页 |
4.1.2 LPPP对器件稳定性的改善 | 第56-58页 |
4.2 器件工作条件对稳定性的影响 | 第58页 |
4.3 器件结构对稳定性的影响 | 第58-59页 |
4.4 金刚石电极对器件稳定性的改善 | 第59-61页 |
4.4.1 P型金刚石膜的光学性质及电学性质 | 第59页 |
4.4.2 以P型金刚石膜为电极的LPPP电致发光器件的稳定性 | 第59-61页 |
4.5 小结 | 第61-62页 |
5 能带结构及扩散系数的理论分析 | 第62-70页 |
5.1 有机聚合材料的能带结构 | 第62-65页 |
5.1.1 有机聚合材料能带的形成与表征 | 第62-64页 |
5.1.2 电致发光器件的能带匹配 | 第64-65页 |
5.2 扩散系数的讨论 | 第65-69页 |
5.2.1 跃迁模型描述 | 第65-66页 |
5.2.2 载流子的注入 | 第66页 |
5.2.3 载流子的迁移及扩散系数 | 第66-68页 |
5.2.4 载流子的复合 | 第68页 |
5.2.5 扩散系数与复合几率 | 第68-69页 |
5.3 小结 | 第69-70页 |
6 用作发光器件电极的掺杂金刚石膜的电学性能 | 第70-93页 |
6.1 硼掺杂多晶金刚石膜 | 第70-72页 |
6.1.1 掺杂金刚石膜的电学性能 | 第70-72页 |
6.1.2 掺杂金刚石膜电学性质研究 | 第72页 |
6.2 硼掺杂方法 | 第72-75页 |
6.2.1 CVD法 | 第72-73页 |
6.2.2 离子注入法 | 第73-74页 |
6.2.3 硼掺杂金刚石膜样品的制备 | 第74-75页 |
6.3 硼掺杂多晶金刚石膜的检测 | 第75-77页 |
6.3.1 电子显微镜(SEM) | 第75页 |
6.3.2 激光拉曼光谱(RamanShift) | 第75-77页 |
6.3.3 X射线衍射(X-raydiffraction) | 第77页 |
6.4 硼掺杂金刚石膜的晶粒导电模型 | 第77-86页 |
6.4.1 掺杂金刚石膜导电机制 | 第77-78页 |
6.4.2 晶粒导电模型 | 第78-79页 |
6.4.3 晶粒导电模型的基本假设 | 第79-80页 |
6.4.4 肖特基热发射电流 | 第80-81页 |
6.4.5 硼掺杂多晶金刚石膜的电导率 | 第81-82页 |
6.4.6 晶粒间界陷阱能级为分离能级情况下掺杂多晶金刚石膜的电导率 | 第82-84页 |
6.4.7 晶粒间界陷阱能级连续分布时掺杂多晶金刚石膜的电导率 | 第84-86页 |
6.5 实验现象解释 | 第86-92页 |
6.5.1 电阻率与温度 | 第86页 |
6.5.2 电阻率与掺杂浓度 | 第86-87页 |
6.5.3 激活能与掺杂浓度 | 第87-88页 |
6.5.4 迁移率与温度 | 第88-89页 |
6.5.5 迁移率与掺杂浓度 | 第89-90页 |
6.5.6 载流子与掺杂浓度 | 第90-91页 |
6.5.7 载流子浓度与温度 | 第91-92页 |
6.6 小结 | 第92-93页 |
7 总结与展望 | 第93-96页 |
7.1 全文总结 | 第93-94页 |
7.2 后续研究工作与应用展望 | 第94-96页 |
致谢 | 第96-97页 |
参考文献 | 第97-105页 |
附录 | 第105-106页 |