| 第一章 前言 | 第1-11页 |
| 第二章 应变量子阱激光器的原理和特性 | 第11-25页 |
| §2．1 应变效应分析 | 第11-16页 |
| §2．1．1 晶格失配与应变 | 第11-12页 |
| §2．1．2 应变对能带结构的影响 | 第12-15页 |
| §2．1．3 临界厚度 | 第15-16页 |
| §2．2 InGaAs应变量子阱激光器特性 | 第16-21页 |
| §2．2．1 增益特性 | 第16-17页 |
| §2．2．2 阈值电流特性 | 第17-18页 |
| §2．2．3 偏振选择性 | 第18-20页 |
| §2．2．4 温度特性 | 第20-21页 |
| §2．3 InGaAs/GaAs应变量子阱激光器的可靠性分析 | 第21-25页 |
| §2．3．1 量子阱厚度与退化速率的关系 | 第22-23页 |
| §2．3．2 光学灾变损伤产生机理分析 | 第23-25页 |
| 第三章 应变量子阱激光器的结构设计 | 第25-37页 |
| §3．1 高功率半导体激光器的结构设计 | 第25-27页 |
| §3．2 高功率980nm应变量子阱激光器的结构设计 | 第27-35页 |
| §3．2．1 单量子阱结构组分和势阱宽度的确定 | 第27-30页 |
| §3．2．2 波导层厚度和限制层铝组分的确定 | 第30-34页 |
| §3．3．3 激光器的总体结构设计 | 第34-35页 |
| §3．3 激光器列阵 | 第35-37页 |
| 第四章 器件制备工艺的设计与分析 | 第37-48页 |
| §4．1 欧姆接触的设计分析 | 第37-39页 |
| §4．2 腔面镀膜工艺的优化设计 | 第39-48页 |
| §4．2．1 腔面镀膜的设计与分析 | 第40-41页 |
| §4．2．2 腔面反射率的分析设计 | 第41-45页 |
| §4．2．3 激光对膜的损伤 | 第45-46页 |
| §4．2．4 薄膜制备的主要工艺因素 | 第46-48页 |
| 第五章 高功率980nm半导体激光器的制备工艺 | 第48-57页 |
| §5．1 器件制备的工艺流程 | 第48-49页 |
| §5．2 外延生长 | 第49-53页 |
| §5．2．1 MBE设备介绍 | 第49-50页 |
| §5．2．2 外延生长的总体要求 | 第50-51页 |
| §5．2．3 材料生长过程 | 第51-53页 |
| §5．3 中间工艺 | 第53-54页 |
| §5．4 后步工艺 | 第54-57页 |
| 第六章 激光器工作特性测试 | 第57-60页 |
| 结束语 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |