半导体桥火工品静电危害特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| ·研究的目的和意义 | 第11页 |
| ·SCB火工品简介 | 第11-14页 |
| ·半导体桥的结构 | 第11-12页 |
| ·SCB的制造工艺及封装 | 第12-13页 |
| ·SCB的特性 | 第13-14页 |
| ·静电放电简介 | 第14-15页 |
| ·静电放电的特点和类型 | 第14页 |
| ·静电放电损伤失效机理 | 第14页 |
| ·静电放电的危害 | 第14-15页 |
| ·静电放电损伤的检测手段 | 第15页 |
| ·半导体桥静电放电国内外研究现状 | 第15-20页 |
| ·国外研究现状 | 第15-17页 |
| ·国内研究现状 | 第17-20页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 2 样品参数及实验原理和方法 | 第22-27页 |
| ·半导体桥的参数 | 第22页 |
| ·实验原理及方法 | 第22-24页 |
| ·仪器设备 | 第22页 |
| ·静电放电实验原理及方法 | 第22-23页 |
| ·点火实验原理及方法 | 第23-24页 |
| ·斯蒂芬酸铅的制备 | 第24-27页 |
| ·反应原理 | 第24-25页 |
| ·制造工艺流程 | 第25页 |
| ·废水处理 | 第25-27页 |
| 3 静电单脉冲对典型半导体桥性能的影响 | 第27-41页 |
| ·不同ESD电压下TSCB的烧蚀面积 | 第27-28页 |
| ·TSCB静电作用前后的点火特性比较 | 第28-33页 |
| ·全发火电压的对比 | 第29页 |
| ·点火能量的对比 | 第29页 |
| ·点火时间的对比 | 第29-30页 |
| ·电流峰值以及峰值对应时间的对比 | 第30页 |
| ·失效阈值的确定—t检验 | 第30-32页 |
| ·ESD前后电阻的对比 | 第32-33页 |
| ·点火过程中电压电流信号的动态分析 | 第33-34页 |
| ·不同点火机理时静电对TSCB性能的影响 | 第34-37页 |
| ·非等离子体点火时ESD对桥的影响 | 第34-36页 |
| ·等离子体点火时ESD对桥的影响 | 第36-37页 |
| ·微光显微镜分析 | 第37-38页 |
| ·I-V特性曲线 | 第38-39页 |
| ·模拟人体静电放电实验 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 4 静电单脉冲对微型半导体桥性能的影响 | 第41-55页 |
| ·不同ESD电压下MSCB的烧蚀面积统计 | 第41-42页 |
| ·MSCB静电作用前后的点火特性比较 | 第42-48页 |
| ·全发火电压的对比 | 第43页 |
| ·点火能量的对比 | 第43页 |
| ·点火时间的对比 | 第43-44页 |
| ·电流峰值以及峰值对应时间的对比 | 第44页 |
| ·失效阈值的确定—t检验 | 第44-47页 |
| ·ESD前后电阻的对比 | 第47-48页 |
| ·点火过程中电压电流信号的动态分析 | 第48-49页 |
| ·不同点火机理时静电对MSCB性能的影响 | 第49-51页 |
| ·非等离子体点火时ESD对桥的影响 | 第49-50页 |
| ·等离子体点火时ESD对桥的影响 | 第50-51页 |
| ·I-V特性曲线 | 第51-52页 |
| ·模拟人体静电放电实验 | 第52-53页 |
| ·静电单脉冲对TSCB和MSCB性能影响的对比 | 第53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 5 多次静电放电对TSCB和MSCB的影响 | 第55-62页 |
| ·多次静电放电对TSCB的影响 | 第55-56页 |
| ·MSCB阈值电压下多次静电放电的影响 | 第56-57页 |
| ·国军标条件下多次静电放电对MSCB的影响 | 第57-60页 |
| ·烧蚀面积的统计 | 第57-59页 |
| ·电阻的变化 | 第59页 |
| ·I-V特性曲线 | 第59-60页 |
| ·多次静电放电对TSCB和MSCB性能影响的对比 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录 | 第68页 |
