低功耗多孔硅气敏传感器性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 气敏传感器与多孔硅材料 | 第9-18页 |
| ·传感器的定义 | 第9页 |
| ·气敏传感器 | 第9-14页 |
| ·气敏传感器发展概述 | 第9-10页 |
| ·气敏传感器的主要特性参数 | 第10-12页 |
| ·气敏传感器的分类 | 第12-13页 |
| ·气敏传感器检测的气体种类 | 第13-14页 |
| ·多孔硅技术 | 第14-17页 |
| ·多孔硅的分类 | 第14-15页 |
| ·多孔硅材料的特点及应用 | 第15-16页 |
| ·多孔硅气敏传感器研究概况 | 第16-17页 |
| ·项目背景 | 第17-18页 |
| 第二章 理论知识 | 第18-30页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第18-20页 |
| ·原电池法 | 第18页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第18-19页 |
| ·双槽电化学腐蚀法 | 第19-20页 |
| ·多孔硅形成机理 | 第20-22页 |
| ·扩散限制（DLA）模型 | 第20-21页 |
| ·Beale模型 | 第21页 |
| ·量子限制模型 | 第21-22页 |
| ·多孔硅气敏传感器工作原理 | 第22-24页 |
| ·表面吸附 | 第22-23页 |
| ·检测气体表面吸附反应 | 第23-24页 |
| ·金属与半导体的欧姆接触 | 第24-27页 |
| ·金属与半导体的功函数 | 第24-26页 |
| ·肖特基接触 | 第26页 |
| ·欧姆接触 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射淀积金属薄膜工作机理 | 第27-28页 |
| ·场致发射扫描电子显微镜（SEM）技术 | 第28-30页 |
| 第三章 多孔硅气敏元件的制备 | 第30-35页 |
| ·多孔硅敏感层的制备 | 第30-32页 |
| ·硅片的清洗 | 第30-31页 |
| ·腐蚀多孔硅敏感层 | 第31-32页 |
| ·溅射形成薄膜电极 | 第32-34页 |
| ·氧化处理 | 第34-35页 |
| 第四章 多孔硅参数测量与分析 | 第35-45页 |
| ·样品条件设定 | 第35页 |
| ·多孔硅孔隙率测量 | 第35-38页 |
| ·孔隙率测量实验 | 第35-36页 |
| ·多孔硅孔隙率参数分析 | 第36-38页 |
| ·多孔硅微观形貌分析 | 第38-41页 |
| ·多孔硅表面形貌分析 | 第38-40页 |
| ·多孔硅截面形貌分析 | 第40-41页 |
| ·多孔硅腐蚀厚度测量 | 第41-43页 |
| ·多孔硅I-V特性曲线分析 | 第43-45页 |
| 第五章 多孔硅气敏传感器性能研究 | 第45-63页 |
| ·气敏特性测量方法 | 第45-48页 |
| ·小体积气体环境静态配气测量方法 | 第45页 |
| ·大体积气体环境静态配气多通道测试系统 | 第45-48页 |
| ·气体浓度测量范围选择 | 第48页 |
| ·多孔硅气敏性能测试与分析 | 第48-57页 |
| ·多孔硅对氨气的气敏性能分析 | 第48-52页 |
| ·多孔硅对乙醇的气敏性能测试与分析 | 第52-54页 |
| ·多孔硅对二氧化氮的气敏性能测试与分析 | 第54-57页 |
| ·多孔硅气敏元件的选择性讨论 | 第57页 |
| ·多孔硅孔隙率和腐蚀深度对灵敏度影响 | 第57-59页 |
| ·孔隙率对灵敏度影响 | 第57-58页 |
| ·腐蚀深度对灵敏度影响 | 第58-59页 |
| ·响应时间与恢复时间的讨论 | 第59-61页 |
| ·可逆反应与反应平衡 | 第59页 |
| ·多孔硅结构参数对反应恢复时间影响 | 第59-61页 |
| ·多孔硅气敏元件电极的选取 | 第61-62页 |
| ·多孔硅气敏元件的工作损耗 | 第62-63页 |
| 第六章 结论与展望 | 第63-65页 |
| ·总结与讨论 | 第63-64页 |
| ·工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
