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基底温度等因素对薄膜生长影响的Monte Carlo模拟研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-17页
   ·引言第10页
   ·薄膜生长计算机模拟方法第10-11页
   ·计算机模拟薄膜生长的发展和现状第11-15页
     ·基底温度对薄膜生长影响的模拟第12页
     ·粒子能量对薄膜生长影响的模拟第12-13页
     ·粒子入射率对薄膜生长的影响模拟第13-14页
     ·粒子行走步数对薄膜生长影响的模拟第14-15页
   ·课题研究的目的和意义第15页
   ·论文的主要研究内容第15-17页
第2章 薄膜生长的物理模型第17-34页
   ·引言第17页
   ·亚单层膜的生长过程第17-26页
     ·凝结过程第19-22页
     ·成核的毛细作用第22-25页
     ·临界岛尺寸和岛的尺寸分布第25-26页
   ·多层膜的生长第26-33页
     ·薄膜三维生长的模式第27-30页
     ·薄膜的层间扩散第30-31页
     ·薄膜三维生长向二维生长的转变第31-33页
   ·本章小结第33-34页
第3章 薄膜生长的模拟条件、方法和过程第34-50页
   ·引言第34页
   ·分子动力学的方法第34-37页
   ·第一性原理分子动力学方法第37-40页
   ·蒙特卡洛方法第40-49页
   ·本章小结第49-50页
第4章 薄膜生长的模拟第50-59页
   ·引言第50-51页
   ·不同粒子行走步数下薄膜生长的模拟第51-52页
   ·不同基底温度下薄膜生长的模拟第52-54页
   ·不同粒子能量下薄膜生长的模拟第54-56页
   ·不同粒子入射率下薄膜生长的模拟第56-57页
   ·本章小结第57-59页
结论第59-61页
参考文献第61-66页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第66-67页
致谢第67-68页
作者简介第68页

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