砷化镓载流子注入型光开关的研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目次 | 第10-12页 |
| 图目录 | 第12-17页 |
| 表目录 | 第17-18页 |
| 1 绪论 | 第18-35页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·光开关概述 | 第19-23页 |
| ·化合物半导体光开关的研究进展 | 第23-28页 |
| ·研究意义和所做工作 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 2 GaAs材料与制作工艺 | 第35-52页 |
| ·GaAs材料特性 | 第35-41页 |
| ·外延生长技术 | 第35-37页 |
| ·载流子注入效应 | 第37-40页 |
| ·AlGaAs/GaAs/AlGaAs双异质结 | 第40-41页 |
| ·GaAs制作工艺 | 第41-49页 |
| ·刻蚀技术 | 第42-43页 |
| ·掺杂技术 | 第43-46页 |
| ·介质膜的生长与刻蚀 | 第46-47页 |
| ·电极制作以及欧姆接触 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 3 GaAs载流子注入型光开关的设计 | 第52-87页 |
| ·外延材料与波导结构设计 | 第52-57页 |
| ·工艺流程设计 | 第57-59页 |
| ·光开关结构设计 | 第59-85页 |
| ·多模干涉自映像效应 | 第60-63页 |
| ·多模干涉-马赫曾德尔型光开关 | 第63-65页 |
| ·多模干涉型光开关 | 第65-66页 |
| ·基于外延材料一的器件设计 | 第66-72页 |
| ·基于外延材料二的器件设计 | 第72-79页 |
| ·锥形光波导中附加相位特性的分析 | 第79-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 4 器件制作与测试 | 第87-121页 |
| ·基本工艺的摸索 | 第87-100页 |
| ·光刻 | 第87-91页 |
| ·波导的腐蚀 | 第91-93页 |
| ·电极制作 | 第93-97页 |
| ·氧离子注入 | 第97-100页 |
| ·基于外延材料一的器件制作及测试 | 第100-104页 |
| ·材料通光测试 | 第100-101页 |
| ·器件制作 | 第101-104页 |
| ·器件测试 | 第104页 |
| ·基于外延材料二的器件制作及测试 | 第104-120页 |
| ·材料通光测试 | 第105页 |
| ·器件制作 | 第105-110页 |
| ·器件测试 | 第110-117页 |
| ·载流子注入型器件的工艺难点 | 第117-120页 |
| 参考文献 | 第120-121页 |
| 5 可变光衰减器的设计 | 第121-132页 |
| ·S弯曲可变光衰减器 | 第121-126页 |
| ·工作原理 | 第121-122页 |
| ·集成S弯曲衰减器的1×2热光光开关 | 第122-124页 |
| ·GaAs载流子注入型S弯曲衰减器 | 第124-126页 |
| ·多模干涉型可变光衰减器 | 第126-128页 |
| ·基于W型五层平板波导的可变光衰减器 | 第128-131页 |
| 参考文献 | 第131-132页 |
| 6 总结与展望 | 第132-136页 |
| ·总结 | 第132-133页 |
| ·存在的不足及展望 | 第133-136页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间的研究成果 | 第136-137页 |
