| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| ·GaN 基器件的优势 | 第6-7页 |
| ·GaN 基异质结材料 | 第7-8页 |
| ·GaN 基HEMT 的最高性能水平 | 第8-12页 |
| ·本论文的研究内容和安排 | 第12-14页 |
| 第二章 GaN 材料及其异质结特性 | 第14-26页 |
| ·GaN 材料的制备 | 第14-16页 |
| ·GaN 材料的缺陷 | 第16-17页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结中的二维电子气 | 第17-26页 |
| ·GaN 中的极化效应 | 第17-19页 |
| ·GaN 异质结中的二维电子气 | 第19-20页 |
| ·2DEG 中电子的来源 | 第20-26页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 的直流特性 | 第26-36页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的阈值电压 | 第26-27页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的I-V 特性 | 第27-30页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的自热效应 | 第30-33页 |
| ·热处理 | 第33-36页 |
| 第四章 GaN 基HEMT 的电流崩塌效应 | 第36-44页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的目标特性 | 第36-37页 |
| ·GaN 基HEMT 的电流崩塌 | 第37-39页 |
| ·电流崩塌现象 | 第37-38页 |
| ·电流崩塌的形成机理 | 第38-39页 |
| ·减少电流崩塌效应的措施 | 第39-44页 |
| ·表面处理 | 第39-40页 |
| ·场板结构 | 第40-43页 |
| ·p 型冒层结构 | 第43-44页 |
| 第五章 结束语 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 研究成果 | 第52-53页 |