| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| ·MIM电容的研究意义 | 第9-10页 |
| ·MIM电容的性能要求和发展趋势 | 第10-12页 |
| ·高介电常数材料 | 第12-15页 |
| ·介电常数理论 | 第12-14页 |
| ·适用于MIM电容的高k介质 | 第14-15页 |
| ·高K介质薄膜的制备工艺 | 第15-19页 |
| 第2章 不同底电极对HfO_2介质MIM电性能的影响 | 第19-33页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·实验内容 | 第20页 |
| ·结果与讨论 | 第20-32页 |
| ·C-V结果 | 第20-24页 |
| ·VCC分析 | 第24-27页 |
| ·I-V结果 | 第27-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 原子层淀积Nb_2O_5薄膜研究 | 第33-41页 |
| ·试验方法 | 第33页 |
| ·生长速率标定 | 第33-36页 |
| ·淀积温度对介质的影响 | 第36-39页 |
| ·退火对介质的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 MIM电容电压系数(VCC)的理论与验证 | 第41-48页 |
| ·理论模型 | 第41-44页 |
| ·自由载流子模型 | 第41-42页 |
| ·氧空位极化理论 | 第42-44页 |
| ·拟合 | 第44-47页 |
| ·Al_2O_3 | 第44-45页 |
| ·HfO_2 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 全文总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 硕士阶段完成的论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |