| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-15页 |
| 图目录 | 第15-21页 |
| 表目录 | 第21-22页 |
| 缩略词表 | 第22-23页 |
| 第1章 绪论 | 第23-47页 |
| ·研究动机和背景 | 第23-31页 |
| ·生物传感器的发展 | 第23-24页 |
| ·声波传感器的种类与发展 | 第24-29页 |
| ·FBAR质量传感器的提出 | 第29-31页 |
| ·FBAR技术的研究现状 | 第31-43页 |
| ·FBAR概述 | 第31-37页 |
| ·FBAR的研究历史和用作滤波器的研究现状 | 第37-38页 |
| ·FBAR微质量传感器的研究现状 | 第38-42页 |
| ·国内FBAR的研究现状和面临的关键问题 | 第42-43页 |
| ·论文的研究内容和章节安排 | 第43-47页 |
| ·论文的研究内容和创新点 | 第43-44页 |
| ·论文的章节安排 | 第44-47页 |
| 第2章 双模式FBAR的电学特性分析及建模 | 第47-101页 |
| ·普通弹性体中的声场与波 | 第47-52页 |
| ·普通弹性体中的声学振动方程 | 第47-50页 |
| ·普通弹性体中声波传输方程 | 第50-52页 |
| ·压电理论 | 第52-63页 |
| ·压电现象与压电方程 | 第52-54页 |
| ·直角坐标变换 | 第54-55页 |
| ·AlN的材料特性 | 第55-58页 |
| ·c轴倾斜生长AlN压电薄膜的属性 | 第58-63页 |
| ·压电晶体中的声波传播 | 第63-75页 |
| ·基于c轴倾斜压电晶体的双模式理想FBAR的振动分析 | 第63-71页 |
| ·基于c轴倾斜压电晶体双模式理想FBAR的声波场量 | 第71-75页 |
| ·双模式理想FBAR电学阻抗特性 | 第75-85页 |
| ·双模式理想FBAR的电学阻抗表达式 | 第75-79页 |
| ·双模式理想FBAR的阻抗特性分析 | 第79-83页 |
| ·双模式理想FBAR的改进型Mason等效电路模型 | 第83-85页 |
| ·双模式复合FBAR的电学阻抗特性及改进型Mason等效电路模型 | 第85-93页 |
| ·普通声学层的阻抗特性分析 | 第85-86页 |
| ·双模式复合FBAR的改进型Mason等效电路模型 | 第86-89页 |
| ·双模式复合FBAR的电学阻抗表达式 | 第89-90页 |
| ·双模式复合FBAR的电学阻抗特性分析 | 第90-93页 |
| ·压电和电极属性对双模式FBAR谐振特性的影响 | 第93-97页 |
| ·压电材料的影响 | 第93-95页 |
| ·电极材料的影响 | 第95-96页 |
| ·电极厚度的影响 | 第96-97页 |
| ·FBAR的优值 | 第97-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 本章的创新点 | 第100-101页 |
| 第3章 射频反应溅射制备择优取向AlN薄膜 | 第101-155页 |
| ·射频反应磁控溅射系统 | 第101-107页 |
| ·反应溅射的控制方法 | 第101-105页 |
| ·实验室用多靶磁控溅射镀膜系统介绍 | 第105-107页 |
| ·反应溅射模型的建立与研究 | 第107-123页 |
| ·反应溅射基本模型的建立 | 第107-116页 |
| ·工艺参数对反应溅射迟滞效应的影响 | 第116-122页 |
| ·反应溅射模型的总结 | 第122-123页 |
| ·射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的工艺研究 | 第123-138页 |
| ·AlN薄膜晶体的择优取向特性及表征方法 | 第123-125页 |
| ·靶基距对AlN晶体择优取向特性的影响 | 第125-128页 |
| ·反应气体N_2浓度对AlN晶体c轴择优取向特性的影响 | 第128-134页 |
| ·基片种类对AlN晶体c轴择优取向特性的影响 | 第134-136页 |
| ·射频磁控反应溅射制备择优取向AlN薄膜的经验总结 | 第136-138页 |
| ·射频磁控反应溅射制备c轴倾斜取向AlN薄膜 | 第138-140页 |
| ·实验装置调整 | 第138-139页 |
| ·倾斜取向AlN薄膜生长机理研究 | 第139-140页 |
| ·反应溅射模型的扩展 | 第140-152页 |
| ·多靶同时溅射 | 第141-145页 |
| ·溅射系统中有两种不同的反应气体 | 第145-146页 |
| ·提高反应溅射氧化物的沉积速率 | 第146-152页 |
| ·本章小结 | 第152-154页 |
| 本部分的主要创新点 | 第154-155页 |
| 第4章 固态装备型(SMR)FBAR的研究制备 | 第155-175页 |
| ·固态装备型的理论分析 | 第155-165页 |
| ·SMR结构的提出及特点 | 第155-156页 |
| ·SMR结构设计 | 第156-160页 |
| ·SMR结构的提出及特点 | 第160-165页 |
| ·固态装备型FBAR的制备 | 第165-167页 |
| ·结果分析 | 第167-172页 |
| ·器件形貌分析 | 第167-171页 |
| ·固态装备型FBAR的测试与分析 | 第171-172页 |
| ·本章小结 | 第172-173页 |
| 本章的创新点 | 第173-175页 |
| 第5章 体硅工艺FBAR器件的制备及性能测试 | 第175-183页 |
| ·不同结构FBAR制备工艺的比较 | 第175-178页 |
| ·硅反面刻蚀型FBAR的制备工艺 | 第175-177页 |
| ·空气隙型FBAR的制备工艺 | 第177页 |
| ·侧向场激励剪切模式FBAR的制备工艺 | 第177-178页 |
| ·硅反面刻蚀型FBAR的制备及流片 | 第178-180页 |
| ·纵波模式FBAR的制备 | 第178-179页 |
| ·侧向场激励剪切模式FBAR的制备 | 第179-180页 |
| ·FBAR器件的测试 | 第180-182页 |
| ·本章小结 | 第182-183页 |
| 第6章 双模式FBAR微质量传感器模型的研究 | 第183-207页 |
| ·FBAR质量传感器的性能指标 | 第183-185页 |
| ·FBAR微质量传感器的工作原理 | 第183-184页 |
| ·FBAR质量传感器的参数指标 | 第184-185页 |
| ·双模式FBAR质量传感器分析 | 第185-195页 |
| ·加载质量后双模式FBAR的模型建立 | 第185-187页 |
| ·负载质量对双模式FBAR传感器谐振特性的影响 | 第187-192页 |
| ·不同材料负载下双模式FBAR传感器的质量灵敏度分析 | 第192-195页 |
| ·FBAR位置质量传感器 | 第195-205页 |
| ·有限元分析方法介绍与模型建立 | 第195-197页 |
| ·FBAR纵波模式位置质量传感器 | 第197-201页 |
| ·FBAR剪切模式位置质量传感器 | 第201-205页 |
| ·本章小结 | 第205-206页 |
| 本章的创新点 | 第206-207页 |
| 第7章 总结与展望 | 第207-211页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第207-208页 |
| ·论文的主要创新点 | 第208-209页 |
| ·论文的不足之处和将来的工作 | 第209-211页 |
| 参考文献 | 第211-223页 |
| 作者简历及在校期间取得的科研成果 | 第223-224页 |
